江苏省自然科学基金(BK2001028)
- 作品数：5 被引量：33H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 一维深亚波长光栅的耦合波分析及偏振特性的研究被引量：23
- 2002年
- 讨论了一种新的一维深亚波长光栅,其周期结构由等离子体增强化学气相淀积法(PECVD)制备的周期性多层膜构成。简单介绍了这种深亚波长光栅的制作方法。采用严格耦合波分析(RCWA)理论计算了这种一维深亚波长光栅的衍射效率,分析了它的偏振特性。
- 袁惠周进王晓伟黄信凡
- 关键词：偏振特性
- a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应
- 2002年
- 采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特性 ;采用 C-V测量方法 ,通过对退火和未退火样品的对比分析 ,对该三明治样品的电学性质进行了研究 ,观察到 nc-Si薄膜的电荷存储现象 ,并且该现象与 nc-Si层的厚度有着明显的关系。
- 戴敏鲍云石建军张林李伟陈铠王立黄信凡陈坤基
- 关键词：纳米硅退火电容-电压特性
- 包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象
- 2003年
- 采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.
- 吴良才
- 关键词：电容-电压特性共振隧穿库仑阻塞
- nc-Si/SiO_2多层膜的制备及蓝光发射被引量：9
- 2003年
- 在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO2 多层膜 (ML) ;利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc Si SiO2 ML ,并观察到室温下的蓝光发射 ;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc Si SiO2 ML的结构特性 ;通过对晶化样品光致发光谱和紫外 可见光吸收谱的研究 。
- 隋妍萍马忠元陈坤基李伟徐骏黄信凡
- 关键词：PECVD蓝光发射热退火
- 激光定域晶化技术制备纳米硅的研究被引量：1
- 2002年
- 利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si∶H(4nm)/a-SiNx∶H(10nm)多层膜中的超薄a-Si∶H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列。原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si∶H/a-SiNx∶H多层膜周期(14nm)相等的nc-Si阵列。
- 朱乐仪黄信凡王立王晓伟马忠元李伟陈坤基
- 关键词：激光纳米硅相移光栅
