天津市应用基础与前沿技术研究计划(043800811)
- 作品数：10 被引量：31H指数：3
- 相关作者：牛萍娟郭维廉刘宏伟胡海蓉陈乃金更多>>
- 相关机构：天津工业大学天津大学中国科学院更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 遏止(Quenching)及其在分析RTD逻辑电路中的应用被引量：1
- 2005年
- 在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了“遏止(Q uench ing)”的概念。并进一步以此概念说明了RTD/HEM T电路中,单-双稳转换逻辑单元(M OB ILE)、多值逻辑(M VL)文字(L itera l)逻辑门、三态反相器(T ernary inverter)等逻辑单元的工作原理。通过此种分析,证实了“遏止”概念是解释和分析复杂RTD电路原理的强有力工具。以上论证也适用于由其它负阻器件构成的逻辑电路。
- 郭维廉牛萍娟李晓云刘宏伟李鸿强
- 关键词：遏止共振隧穿二极管多值逻辑
- NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元被引量：1
- 2007年
- 设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似的逻辑功能。
- 郭维廉关薇牛萍娟张世林齐海涛陈乃金王伟
- 关键词：异质结晶体管负阻器件
- AlGaAs/GaAsHBT的设计与研制
- 2005年
- 分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V.
- 胡海蓉牛萍娟胡海洋郭维廉
- 关键词：ALGAAS/GAAS异质结双极晶体管
- GaN基光电子材料及器件的研究被引量：6
- 2004年
- GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)等具有重要应用价值的光电子器件,因而备受重视,本文综述了GaN基光电子器件研究开发现状及其应用前景。
- 牛萍娟陈乃金李养贤郭维廉
- 关键词：GAN基材料发光二极管(LED)紫外探测器蓝色激光器
- 热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用被引量：3
- 2007年
- 设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上。测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350mA工作电流下正向电压为3.0V。将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连。
- 牛萍娟李艳玲刘宏伟胡海蓉贾海强陈弘
- 关键词：光电子学电镀
- RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
- 2007年
- RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟。模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计。
- 王小丽牛萍娟刘宏伟郭维廉毛陆虹杨广华
- 关键词：环形振荡器PSPICE软件
- 基于Verilog HDL设计的多功能数字钟被引量：14
- 2006年
- 本文利用VerilogHDL语言自顶向下的设计方法设计多功能数字钟,突出了其作为硬件描述语言的良好的可读性、可移植性和易理解等优点,并通过AlteraQuartusⅡ4.1和ModelSimSE6.0完成综合、仿真。此程序通过下载到FPGA芯片后,可应用于实际的数字钟显示中。
- 李俊一牛萍娟
- 关键词：VERILOGHDL硬件描述语言FPGA
- 全硅片上光互连用波导被引量：2
- 2006年
- 较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导(如多晶Si/SiO_2、Si/SiO_2、Si_3N_4/SiO_2)需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制,总结了目前的研究进展。
- 代晓光牛萍娟张宇陈弘达毛陆虹郭维廉
- 关键词：光电子集成
- 共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展被引量：4
- 2005年
- 介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。
- 郭维廉牛萍娟苗长云
- 关键词：共振隧穿二极管集成电路
- RTD与HBT单片集成研究
- 2005年
- 设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。
- 胡海蓉牛萍娟刘宏伟郭维廉许丹于欣王文新尚勋忠吴曙东
- 关键词：共振隧穿二极管异质结双极晶体管单片集成
