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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(05009015200701)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
韩晓东
张滔
张斌
宋志棠
周夕淋
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相关机构:
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发文基金:
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
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张斌
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韩晓东
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年份
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2013
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Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响
被引量:1
2013年
通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58%Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5%Sb呈Sb型菱方结构。在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反。原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9%Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制。
谷立新
周夕淋
张斌
张滔
刘显强
韩晓东
吴良才
宋志棠
张泽
关键词:
相变材料
晶化温度
透射电镜
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