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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(05009015200701)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：韩晓东张滔张斌宋志棠周夕淋更多>>
相关机构：中国科学院浙江大学北京工业大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电镜
  • 1篇电学性能
  • 1篇射电
  • 1篇透射电镜
  • 1篇相变材料
  • 1篇晶化
  • 1篇晶化温度
  • 1篇GETE
  • 1篇SB

机构

  • 1篇北京工业大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇吴良才
  • 1篇张泽
  • 1篇刘显强
  • 1篇谷立新
  • 1篇周夕淋
  • 1篇宋志棠
  • 1篇张斌
  • 1篇张滔
  • 1篇韩晓东

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响被引量：1
2013年
通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58%Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5%Sb呈Sb型菱方结构。在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反。原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9%Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制。
谷立新周夕淋张斌张滔刘显强韩晓东吴良才宋志棠张泽
关键词：相变材料晶化温度透射电镜
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