上海市科学技术委员会基础研究重点项目(03DJ14001)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质被引量：1
- 2005年
- 低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表现出良好的一维输运特性.
- 黄少华陈张海柏利慧王防震沈学础
- 关键词：离子注入线性偏振
- CdSe/ZnSe异质结构中Zn_(1-x)Cd_xSe量子岛(点)的显微荧光光谱和显微拉曼光谱研究被引量：4
- 2006年
- 利用显微荧光和显微拉曼光谱,研究了分子束外延生长的CdSe/ZnSe异质结构中,由两种不同机理形成的两类具有不同尺寸和组分的Zn1-xCdxSe量子岛.4·2K时的显微荧光光谱表明,当CdSe淀积厚度由1·8ML增加到2·3ML时,Zn1-xCdxSe量子岛的激子荧光峰有166meV的较大红移,这是量子岛尺寸改变引起的量子限制势能变化所不能完全解释的.经过对样品的显微荧光和显微拉曼光谱的对比分析,发现还存在另外两种引起量子岛荧光峰较大红移的机理:一方面是因为随着CdSe淀积厚度的增加,具有更低能态的大岛密度的增加,并逐渐取代小岛而主导Zn1-xCdxSe量子岛的荧光性质;另一方面是由于CdSe/ZnSe量子结构中的两类量子岛的Cd组分浓度也会随CdSe淀积厚度的增加而增加,从而引起量子岛荧光峰的较大红移.
- 王防震陈张海柏利慧黄少华沈学础
- 关键词：CDSERAMAN
