国家重点基础研究发展计划(G200551343)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：哈尔滨工业大学中国电子科技集团公司第十八研究所中国电子科技集团更多>>
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- 100keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响被引量：5
- 2009年
- 利用空间环境模拟设备,用固定能量为100keV、注量为1×109—3×1012cm-2的质子,对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行了辐照试验.利用伏安(I-V)特性、光谱响应和光致发光(PL)光谱测试,研究分析了电池的光电效应.试验表明,电池的各种电性能参数如短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、最大输出功率(Pm)和填充因子(FF)都因质子辐照注量的增加,出现不同程度的衰降.在质子能量相同条件下,电池电性能衰降均随照射注量增大而增大.质子辐照对材料的光电性能具有破坏性的影响.这种破坏性是由于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加所致.
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- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照光电效应
- 50-170keV质子照射对GaAs／Ge太阳能电池光谱响应的影响被引量：3
- 2008年
- 用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。
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- 质子辐射下GaAs/Ge太阳电池的性能退化被引量：1
- 2007年
- 对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验。质子辐射的能量为70～170keV,辐射的剂量为1×109～3×1012cm-2。研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显。
- 赵慧杰肖景东吕伟孙彦铮张益君何世禹
- 关键词：GAAS/GE太阳电池
