北京市科技计划项目(D121100001812003)
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 相关作者：刘丰珍王楠周玉琴张瑜曹勇更多>>
- 相关机构：中国科学院大学中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：北京市科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 铝诱导表面织构玻璃及其对硅薄膜陷光作用的影响
- 2015年
- 采用铝诱导表面织构方法在玻璃衬底上制备了蜂窝状的凹坑结构;使用热丝化学气相沉积技术在该类衬底上制备了硅薄膜。扫描探针显微镜（SPM）图像表明,通过改变刻蚀时间、刻蚀溶液比例、Al膜厚度和退火时间等制备条件,可以有效控制玻璃表面凹坑结构的尺寸,使其在直径上从0.5μm到6μm,深度上从60 nm到700 nm可调。光吸收谱测试表明此类衬底对硅薄膜的光吸收有着明显的增强效果,以凹坑平均直径为2.3μm,深度为358nm的铝诱导表面织构玻璃为衬底所制备的厚度为150 nm的硅薄膜,在350~1200 nm波长范围内的光吸收与使用平面玻璃为衬底的样品相比可提高28.5%。凹坑的尺寸大小对光吸收增强效果有重要影响。
- 刘勇曹勇董刚强郭宇坤刘丰珍
- 关键词：热丝化学气相沉积硅薄膜陷光结构玻璃衬底
- 硅异质结电池界面处理关键工艺的研究被引量：7
- 2013年
- 薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能。本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理;采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结;通过光发射谱(OES)研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响;分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,在10-4Pa量级的背景真空和200℃下进行退火,可显著提高电池开路电压VOC和填充因子FF。本文结果表明:硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率。
- 王楠张瑜周玉琴
- 关键词：钝化处理退火处理
- 化学气相沉积中影蔽效应对硅薄膜表面形貌和微结构的影响
- 2014年
- 采用斜入射热丝化学气相沉积技术(OAD-HWCVD),研究了气流入射角度(θ)对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面和微结构的影响.实验发现,薄膜厚度为1μm时,均方根粗糙度与tanθ成指数关系;在入射角度为75°时,薄膜表面由自仿射表面转变为mound表面.采用拉曼谱和红外谱表征了硅薄膜的微结构随气流入射角度的变化.在薄膜转变为mound表面生长之前,随入射角度的增加,准局域的影蔽效应使得薄膜中微空洞的数目及尺寸增加,导致薄膜微结构因子升高、致密度下降、薄膜质量变差.在薄膜转变为mound表面生长之后,非局域的影蔽效应导致大尺度的空洞,同时薄膜中以Si-Hn(n 2)形式存在的氢增多.本文以非晶硅薄膜为例,结合标度理论,分析了薄膜生长过程中的表面形貌和微结构与影蔽效应的关系.
- 张海龙刘丰珍朱美芳
