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国家自然科学基金(61176047)

作品数:1 被引量:0H指数:0
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇量子点
  • 3篇INAS
  • 3篇MOCVD
  • 2篇量子
  • 2篇INP
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇调谐
  • 1篇调谐范围
  • 1篇图形衬底
  • 1篇注入电流
  • 1篇线阵列
  • 1篇量子点激光器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光栅
  • 1篇光栅耦合
  • 1篇INAS/G...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇季海铭
  • 3篇罗帅
  • 3篇杨涛
  • 1篇杨晓光

传媒

  • 3篇第十二届全国...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
1 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
MOCVD生长高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点
高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点。通过采用两步盖层生长InGaAsP隔离层,以及对In...
罗帅季海铭杨涛
关键词:INASINP量子点MOCVD
图形衬底上InAs纳米线阵列的MOCVD无催化生长
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
王小耶史团伟李天锋杨晓光罗帅季海铭陈清杨涛
Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD生长InAs/GaAs量子点的影响
本文研究了Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD生长InAs/GaAs量子点的影响。光致发光谱结果表明,随着Ⅴ/Ⅲ比的降低,InAs/GaAs量子点发光谱的双模形态更加明显,发光强度逐渐增强。这是由于AsH3流量的减小抑制了In的迁移,一...
季海铭罗帅杨涛
关键词:MOCVDINAS/GAAS量子点
A grating-coupled external cavity InAs/InP quantum dot laser with 85-nm tuning range
2013年
The optical performance of a grating-coupled external cavity laser based on InAs/InP quantum dots is investigated. Continuous tuning from 1391 nm to 1468 nm is realized at an injection current of 1900 mA. With the injection current increasing to 2300 mA, the tuning is blue shifted to some extent to the range from 1383 nm to 1461 nm. By combining the effect of the injection current with the grating tuning, the total tuning bandwidth of the external cavity quantum-dot laser can reach up to 85 nm. The dependence of the threshold current on the tuning wavelength is also presented.
魏恒金鹏罗帅季海铭杨涛李新坤吴剑安琪吴艳华陈红梅王飞飞吴巨王占国
关键词:量子点激光器调谐范围光栅耦合INASINP注入电流
共1页<1>
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