国家自然科学基金(50588201)
- 作品数：28 被引量：33H指数：3
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- 相关机构：西南交通大学新南威尔士大学西北有色金属研究院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 铁基超导体LaOFeAs,AFe_2As_2(A=Sr,Ca),MFeAs (M=Li,Na),FeSe的晶体结构、磁性及电子结构的第一性原理研究(英文)
- 2012年
- 采用密度泛函理论(density functional theory,DFT)中的线性缀加平面波结合增强局域轨道(linearized augmented plane waveand the improved local orbital,APW+lo)的方法研究了新型铁基超导体 LaOFeAs,SrFe2As2, CaFe2As2, LiFeAs,NaFeAs和FeSe的晶体结构、磁性以及电子结构。计算结果表明,铁基超导体的超导电性与该类材料的晶体几何构造以及母体的磁性有密切的关联;超导转变临界温度Tc可以随着FeAs4四面体的畸变程度的减小以及[FeAs]层间距L的增大而提高。进一步对电子结构的研究发现,铁基超导体的磁性主要来自Fe原子的磁矩,pd杂化态决定体系的物理性质,且成为铁基超导体的共有特征。
- 潘敏冯勇程翠华赵勇
- 关键词：铁基超导体电子性质磁性
- 柠檬酸掺杂的MgB2超导体钉扎机理的研究
- 2010年
- 本文研究了柠檬酸掺杂的MgB2超导材料的Jc-B行为及其钉扎机理.在纯MgB2多晶样品中,δTc钉扎起主要作用,而在掺杂的样品中,则是δl钉扎和δTc钉扎共同作用,并且δl钉扎机理占主要作用,其贡献比重随着掺杂量的增加而增加.从Jc-B行为和钉扎行为的分析都可以得到,柠檬酸掺杂量为15%的MgB2超导材料表现出最好的性能.
- 孙辉辉杨烨王磊C.H.Cheng冯勇赵勇
- 关键词：柠檬酸MGB2
- PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能被引量：6
- 2012年
- 通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.
- 廖鑫杨峰蒲明华赵勇程翠华
- 温度控制TiO_2纳米管及管/线复合阵列的制备被引量：4
- 2011年
- 以含有NH4F的乙二醇溶液为电解液,在宽温度范围内（10~70℃）对纯Ti表面进行阳极氧化,制得形貌可控的TiO2纳米结构。利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）和透射电镜（TEM）对纳米TiO2的形貌进行表征。结果表明,随着电解液温度的变化,纳米TiO2的形貌得到控制,可形成TiO2纳米管阵列及纳米管阵列/纳米线复合结构,温度40~50℃为转折温区。
- 蔡芳共杨峰赵勇程翠华
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列复合结构
- 退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
- 2011年
- 采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应.
- 杨峰蔡芳共柯川赵勇程翠华
- 关键词：表面光伏束缚激子
- 超导涂层导体中NiO缓冲层的制备与研究被引量：1
- 2011年
- 镍基带的自发氧化是基于镍基带上制备涂层超导体所面临的一个重要问题。在镍基带上预先制备一层织构的NiO薄膜是解决该问题的一个简单而有效的方法。研究了空气中NiO薄膜的表面氧化外延生长特性,发现高温短时有利于制备高织构度、高平整度和高致密度的NiO薄膜。在优化的温度和时间条件下,制备了高品质的NiO薄膜,并在NiO上利用化学溶液沉积法制备了SmBiO3外延缓冲层,为进一步超导层的制备提供了可能的实用条件。
- 张红赵勇张欣王贺龙蒲明华潘敏
- 关键词：涂层导体织构
- 掺杂对涂层超导体CeO_2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算
- 2009年
- 采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E*的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E*和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.
- 潘敏黄整麻焕锋强伟荣韦联福王龙赵勇
- 关键词：CEO2第一性原理
- 有机化学接枝-电化学沉积聚合制备CNTs/PANI纳米复合材料被引量：1
- 2011年
- 通过有机化学合成法先在碳纳米管表面接枝上苯胺单体,然后在不锈钢电极表面在硫酸溶液中采用循环伏安法电化学沉积聚合制得碳纳米管/聚苯胺(CNTs/PANI)纳米复合材料.扫描电子显微镜和傅立叶变换红外光谱表征所得材料的微观结构和基团,循环伏安和恒流充放电测试用于考察所得CNTs/PANI纳米复合材料的电化学性能.所得结果与在相同实验条件下用一般的电化学法制备的聚苯胺(PANI)及CNTs/PANI复合材料进行了比较分析.研究结果表明,通过有机化学接枝-电化学沉积聚合联合法所制备的CNTs/PANI纳米复合材料具有较好的多孔结构,其颗粒直径在150～250 nm之间.且具有比一般电化学法所制备的PANI(205 F.g-1)和CNTs/PANI复合材料(327 F.g-1)更高的比容量,达到366 F.g-1(充放电电流密度为22 A.m-2),而且具有良好的稳定性(循环充放电测试200次,比容量衰减小于5%).
- 赵晓锋江奇张蒋海春孙培秋易超绝赵勇
- 关键词：电化学性能
- La1-x/2Pr1-x/2SrxCuO4＋y的正常态电阻反常与超导电性
- 2008年
- La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备。X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构。磁化率测量显示:Sr掺杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K。电阻的测量显示:随掺杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0+αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失。本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的输运行为和超导特性。
- 王法社杨烨陈永亮张勇C．H．Cheng赵勇
- 关键词：电阻率超导电性
- 采用一种新的扩散法制备实用化的MgB2超导体
- 2008年
- 利用一种新的Mg扩散方法,在常压下成功制备出致密的MgB2超导块材,样品密度最高达1.95g/cm3。结果表明:加热到900℃保温24h后炉冷,所得到的样品性能最佳。该样品在50Oe的外场下,超导转变温度(Tc)为38.1K,转变宽度仅0.9K;10K,20K,自场下临界电流密度(Jc)值分别达0.53,0.37MA/cm2。此外,通过添加少量纳米Pr6O11或者石墨,都能使MgB2的实用化性能得到显著改进。
- 潘熙锋C．H．Cheng赵勇
- 关键词：MGB2扩散法临界电流密度磁通钉扎
