中国工程物理研究院科技发展基金(2013B0301037)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 相关作者：罗阳明龚宇熊亮萍杨义斌陈柏桦更多>>
- 相关机构：中国工程物理研究院西南科技大学兰州大学更多>>
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- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 氧空位对Eu^(2+),Dy^(3+)掺杂的Ca_5MgSi_3O_(12)发光及余辉性能的影响被引量：1
- 2013年
- 利用高温固相法合成了稀土离子Eu2+,Dy3+掺杂的Ca5MgSi3O12长余辉发光材料.利用光谱学证明了在材料内部存在与氧空位有关的缺陷发光.通过对比不同条件下合成样品的发光及余辉性能,发现氧空位对材料的发光及余辉均起到促进作用.同时发现氧空位发光可以向发光中心传递能量.利用热释光曲线系统的分析了氧空位对余辉性能的影响.Ca5MgSi3O12:Eu2+,Dy3+是一种潜在的长余辉发光材料.
- 龚宇陈柏桦熊亮萍古梅熊洁高小铃罗阳明胡胜王育华
- 关键词：长余辉氧空位热释光
- 缺陷态对Y掺杂BaZrO_3的质子导电性的影响
- 2016年
- 核能是一种新型能源,其开发和利用对氢同位素分离和纯化提出了迫切要求.BaZrO_3基钙钛矿氧化物是一种有效分离纯化氢同位素的材料,本文采用高温固相法制备了BaZr_(1-x)Y_xO_(3-δ)(0≤x≤0.3)系列样品,射线衍射光谱分析表明Y的最大掺杂浓度在0.24—0.26之间.在600?C干燥氢气气氛下,由电化学阻抗谱测试可知,掺20 mol%Y的BaZr_(1-x)Y_xO_(3-δ)样品电导率可达σ=0.00150 S/m,较BaZrO_3基质材料的电导率高接近两个数量级.利用热释光谱和发射光谱研究了系列样品缺陷类型,结果表明BaZrO_3基质材料存在两种对质子传导有利的氧空位(VO);当掺入Y后,除氧空位之外,样品还出现了带负电的质子俘获型缺陷Y′′_(Zr),且Y'_(Zr)缺陷的数量随着Y掺杂浓度增加而增多;同时出现了缺陷陷阱深度变浅导致对质子俘获能力降低的现象,有利于提高质子导电性.本文通过发射光谱和热释光谱相结合,有效地研究了BaZr_(1-x)Y_xO(3-δ)材料的缺陷类型.
- 杨义斌龚宇刘才林罗阳明陈平
- 助熔剂对无机质子导体BaZrO_3结构及形貌的影响
- 2015年
- 利用高温固相法制备了无机质子导体BaZrO3。研究了助熔剂的添加对材料的合成温度及微观形貌的影响。通过添加LiF及Li2CO3为助熔剂,可以在1500℃,保温8h合成很好的单相样品。且LiF为助熔剂制备样品的结晶性明显高于Li2CO3为助熔剂制备的样品。XRD精修表明所合成的样品为很好的单相样品。能带计算分析样品的带隙为3.236eV。通过加入LiF及Li2CO3为助熔剂,明显改善了样品的微观形貌,其中LiF为助熔剂样品的颗粒尺寸较小、团聚少,分散性好。当LiF及Li2CO3添加量为8%时,晶界处有小颗粒析出,这种小颗粒为提高材料的质子导电性提供了潜在的可能性。
- 龚宇杨义斌侯京伟熊亮萍罗阳明肖成建陈晓军
- 关键词：助熔剂氢同位素形貌
