甘肃省自然科学基金(0803RJZA104)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 肖特基接触单层有机太阳能电池的短路电流的数值研究
- 2010年
- 运用数值方法,系统研究了肖特基接触单层有机太阳能电池的阴极功函数、载流子迁移率和温度对短路电流的影响,得到了短路电流随阴极功函数、载流子迁移率和温度变化的定量关系,这为以后的有机太阳能电池实验研究提供理论基础.
- 马朝柱孟伟民彭应全汪润生李荣华谢宏伟王颖叶早晨
- 关键词：载流子迁移率有机太阳能电池短路电流
- 基于肖特基接触IV分析法的有机半导体迁移率确定方法
- 2010年
- 载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件IV特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等。本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数。
- 谢宏伟李训栓王颖马朝柱汪润生李荣华宋长安彭应全
- 关键词：有机半导体迁移率酞菁铜
- 有机发光材料8-羟基喹啉钕的合成、表征和薄膜制备被引量：1
- 2009年
- 介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法。通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征。标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8eV;证实了Ndq3分子中的Nd—O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上。与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱。对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀。
- 邢宏伟彭应全宋长安杨青森李训栓袁建挺
- 关键词：有机发光材料性能表征
- 衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响被引量：1
- 2012年
- 在不同导电衬底(Au,Al和ITO)上制备了PTCDA薄膜,用XRD和AFM技术研究了PTCDA薄膜的结构和表面形貌。结果表明,薄膜中的大部分PTCDA分子平面与衬底不平行,这表明薄膜垂直方向的电流传导将以电子传输为主;在ITO和Au衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列规则,在薄膜垂直方向呈现出较好的电子传输性能;而在Al衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列无序,电子传输性能差。通过制备单层结构有机薄膜器件,研究了PTCDA薄膜垂直方向的电子迁移率。综合应用金属-有机界面的热电子发射理论和有机层体内空间电荷限制传导理论,并考虑电场强度对迁移率变化的影响,对ITO/PTCDA/Al器件的电流密度-电压曲线进行拟合,得到ITO衬底上生长的PTCDA薄膜在垂直方向随电场强度变化的电子迁移率数值。
- 杨汀谢吉鹏范国莹吕文理彭应全
- 关键词：有机半导体迁移率电荷传输
