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国家自然科学基金(90401022)

作品数:5 被引量:7H指数:2
相关作者:朱贤方王占国王连洲李论雄苏江滨更多>>
相关机构:厦门大学中国科学院江苏工业学院更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金中澳科技合作特别基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇透射电子显微...
  • 2篇纳米线
  • 1篇修饰
  • 1篇银膜
  • 1篇碳纳米结构
  • 1篇球壳
  • 1篇球壳结构
  • 1篇自组装
  • 1篇自组装量子点
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇纳米球
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶碳
  • 1篇复合纳米线
  • 1篇改性
  • 1篇包覆
  • 1篇包覆技术
  • 1篇PMMA

机构

  • 5篇厦门大学
  • 4篇中国科学院
  • 2篇江苏工业学院
  • 1篇四川大学

作者

  • 5篇朱贤方
  • 4篇王占国
  • 2篇王连洲
  • 2篇苏江滨
  • 2篇李论雄
  • 1篇包建军
  • 1篇孟焘
  • 1篇吴燕
  • 1篇张其清
  • 1篇逯高清
  • 1篇陈志华
  • 1篇吴政

传媒

  • 2篇科学通报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析被引量:1
2005年
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。
孟焘朱贤方王占国
关键词:自组装MOCVD
聚焦电子束诱导碳沉积实现纳米线表面可控修饰被引量:2
2010年
作为一种典型的准一维纳米材料,纳米线具有纳米材料所特有的小尺寸效应或纳米曲率效应,经表面修饰的纳米线一般具有不同于普通纳米线的特殊性质.利用实验室发展成熟的透射电子显微镜原位辐照技术,以透射电子显微镜中残留的有机气体分子为前驱体,成功地在纳米线表面可控沉积了非晶碳纳米颗粒和碳纳米棒,以及局域凸起的非晶碳膜并形成局域肿大的同轴结构.实验结果表明,该方法能够方便地通过控制聚焦电子束的束斑尺寸、辐照方式、辐照时间以及辐照位置等参数,在纳米线表面精确可控地沉积各种非晶碳纳米结构,从而实现纳米线的表面可控修饰.对聚焦电子束辐照下基于纳米线的各种碳纳米结构的可能沉积机理作了进一步地探索,并针对透射电子显微镜中如何减少因电子束辐照诱导非晶碳沉积造成的样品污染提出了几点建议.
苏江滨朱贤方李论雄王占国
关键词:透射电子显微镜纳米线表面修饰碳纳米结构
聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长被引量:1
2010年
电子束诱导沉积技术已被证实可以实现各种材料的分形生长,但是目前尚未发现聚焦电子束辐照下低维纳米结构表面未受辐照位置的分形生长现象,造成了聚焦电子束诱导分形生长机理研究的空白与片面性.以透射电子显微镜中残留的有机气体分子为前驱体,室温下利用高能聚焦电子束辐照,研究了一维非晶SiOx纳米线表面未受辐照位置碳沉积的分形生长.利用高分辨透射电子显微镜对SiOx纳米线表面非晶碳的沉积过程进行原位观察,发现了SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长,并捕捉到了碳沉积分形生长过程的细节.同时对聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面未受辐照位置非晶碳的不均匀沉积及分形生长机理进行了深入的探索.
苏江滨朱贤方李论雄王连洲王占国
关键词:透射电子显微镜非晶碳
PMMA纳米球的制备及其银膜包覆技术被引量:3
2008年
采用无皂乳液聚合法制备了单分散、直径为170 nm左右的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)纳米球,然后利用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MATS)和3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)对PMMA纳米球进行表面改性,在其表面包覆一层均匀的巯基,通过巯基与银离子之间的相互作用,使银在PMMA纳米球表面成核长大,从而合成PMMA/Ag纳米球壳粒子.通过扫描电子显微镜、投射电子显微镜和紫外-可见吸收光谱测试技术对产物性能进行了表征,研究结果表明,制备的PMMA/Ag纳米球壳粒子的分散性好、包覆均匀.
陈志华吴政张其清包建军王连洲逯高清朱贤方
关键词:表面改性
制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析被引量:1
2006年
近年来,复合纳米线的制备成为低维纳米结构研究的一个热点。综述了几种典型复合纳米线的生长方法,分析了它们的生长机制,以及影响它们生长的各种因素。希望通过这几个制备复合纳米线的实验的分析与研究能对相关实验研究工作提供一些参考。
吴燕朱贤方王占国
关键词:纳米线CVD
共1页<1>
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