江苏省高技术研究计划项目(BG2007026)
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 相关作者：曾祥华岑洁萍季正华谭明秋宋雪云更多>>
- 相关机构：扬州大学浙江大学更多>>
- 发文基金：江苏省高技术研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树形电极等6种电极结构.通过电极优化设计,电流分布更加均匀,减小了电流的聚集效应.优化后的电极结构结果表明:芯片的电特性得到了提高,芯片的光特性得到了明显改善,芯片的出光效率大幅度提高,芯片的转化效率得到了提升.
- 宋雪云张俊兵曾祥华董雅娟
- 关键词：光电性能
- ZnSe相变、电子结构的第一性原理计算被引量：6
- 2010年
- 基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对闪锌矿结构(ZB)和岩盐结构(RS)的ZnSe在0—20GPa高压下的几何结构、态密度、能带结构进行了计算研究,分析了闪锌矿结构ZnSe和岩盐结构ZnSe的几何结构.在此基础上,研究了ZnSe的结构相变、弹性常数、成键情况以及相变压强下电子结构的变化机理.结果发现:通过焓相等原理得到的ZB相到RS相的相变压强为15.3GPa,而由弹性常数判据得到的相变压强为11.52GPa,但在9.5GPa左右并没有发现简单立方相的出现;在结构相变过程中,sp3轨道杂化现象并未消除,Zn原子的4s电子在RS相ZnSe的导电性中起主要贡献.
- 季正华曾祥华岑洁萍谭明秋
- 关键词：ZNSE相变电子结构密度泛函理论
