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Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响被引量：1: 2012年; 利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP(Rectangular ParallelePiped Volume)模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子及LET值为69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。; 刘建德孙友梅刘杰侯明东张战刚段敬来姚会军翟鹏飞; 关键词：GEANT4 单粒子翻转

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中国科学院西部之光基金(Y050010XB0)