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国家自然科学基金(59995520): 作品数：42 被引量：230H指数：10; 相关作者：罗豪甦殷之文徐廷献徐海清许桂生更多>>; 相关机构：中国科学院天津大学湘潭工学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>

弛豫型铁电单晶0.76PMN-0.24PT的铁电相变特征被引量：5: 2000年; 采用介电、铁电与热释电表征法，结合电畴结构的实时观察，对０．７６ＰＭＮ－０．２４ＰＴ单晶的相变特征进行了研究，发现其铁电性质介于典型弛豫铁电体与正常铁电体之间．该单晶极化前具有一种处于微畴至典型宏畴之间的过渡型电畴，其（００１）晶片在极化后发生场致相变，并在其后的升温程序中表现出两个特征温度Ｔ_ｄ与Ｔ_ｍ．Ｔ_ｄ为电容率随温度下降而开始急剧下降的温度，对应于零场升温程序中的由电场诱导的典型宏畴－过渡型宏畴的转化；在Ｔ_ｄ～Ｔ_ｍ温区，晶体持续发生铁电－顺电相变或退极化作用，以宏畴态存在的铁电相与顺电相共存；在略高于Ｔ_ｍ的温度，晶体转化为宏观顺电相，铁电相以微畴态存在．由于场致相变与晶体取向有关，相对于同成分的单晶来说，多晶陶瓷在同样的温度一电场历程下显示不出特征温度Ｔ_ｄ．; 许桂生罗豪甦罗豪甦王评初齐振一; 关键词：驰豫铁电体铁电相变电畴结构 PMNT

PMNT单晶电畴结构随组分与结构的变化被引量：7: 2000年; 利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现，在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内，随ＰＴ含量的增加，电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程；在三方－四方相变中，非１８０°电畴发生７１°（或１０９°）宏畴－９０°宏畴的转化，同时电畴图像变得更为规则．根据不同组分ＰＭＮＴ电畴的显示特征，提出晶体的最大双折射率可以作为度量其弛豫性强弱的光学参数．观察到了电畴的分布不均匀与多级结构现象，前者与组分或结构的起伏有关，后者与多期式马氏体转变有关．本文还分析了偏光显微镜、ＤＩＣ、ＳＥＭ、ＳＥＡＭ等观察方法中电畴的成像特征．; 许桂生罗豪甦徐海清齐振一殷之文; 关键词：弛豫型铁电体 PMNT 电畴结构压电性铁电晶体

溶胶-凝胶法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电陶瓷薄膜被引量：5: 2002年; 以可溶性无机盐为原料 ,通过溶胶 -凝胶法在 Al2 O3基片上制备了 Sr Bi2 Ta2 O9(SBT)铁电陶瓷薄膜 .实验结果表明 ,在前驱体溶胶制备中 ,络合剂的种类对溶胶的稳定性和 SBT相薄膜的形成有重要影响 .在以EDTA和乙二醇为络合剂时 ,易形成均匀稳定的溶胶和单一相的 SBT薄膜 .在薄膜制备工艺中 ,Bi2 O3的高温挥发性和薄膜的退火温度是控制制备过程的关键因素 .当 Bi过量 40 % ,且在 70 0℃的温度下退火热处理 ,可以制备出符合化学计量比、结晶性较好、具有均匀晶粒尺度的 Sr Bi2 Ta2 O9铁电陶瓷薄膜 .; 季惠明张颖徐廷献; 关键词：溶胶-凝胶

Abnormal piezoresponse behavior of Pb(Mg1/3Nb2/3)O(3^-)30%PbTiO3 single crystal studied by high vacuum scanning force microscopy: 2003年; The piezoresponse behavior dependence of the Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-30%PbTiO3 single crystal on the vacuum degree has been investigated by scanning force microscopy in the piezoresponse mode under high vacuum. Unusual piezo- response behavior related to the screening charges compensation mechanism is observed on the (111) crystal face. The significant piezoresponse degradation behavior with low piezoresponse signal under high vacuum is attributed to the instability of the polarization state due to the insufficient compensation of the intrinsic screening charges for the polarization charges in PMN-30%PT single crystal. In contrast, the remarkable domain contrast of the sample at ambient pressure is owing to the dominant surface screening charges deriving from surface adsorption, which plays an important role in determining the stability of the domain behavior and in achieving the optimal properties.; ZENGHuarongYINQingruiLIGuorongLUOHaosuXUZhenkui; 关键词：铁电体单晶体

类钙钛矿型陶瓷结构和性能的研究被引量：10: 2002年; 一系列类钙钛矿 (A2 BO4 )型结构的陶瓷材料被发现 .这类材料在化学催化活性、导电性、超导性、抗铁磁性和气敏性等方面都有新特点 .本工作对类钙钛矿型材料之一La2 NiO4 陶瓷薄膜的无机盐 -溶胶 -凝胶 (ISG)法制备 ,结构和性能关系作了研究 .发现用ISG法制备的La2 NiO4 薄膜仍具有K2 NiF4 型四方结构 ,其化学计量比、晶粒和气孔大小等对气敏性有明显影响 .优选出的此种薄膜 ,在 40 0～ 80 0℃氧化气氛 ,其电阻温度系数≤ 7.2× 10 - 4/℃ ,对氧 -氢气灵敏度≥ 1.0×; 徐廷献樊丽莹徐明霞; 关键词：陶瓷薄膜气敏性陶瓷结构

FRAM用铁电薄膜疲劳问题研究进展被引量：5: 2006年; 综述了FRAM用铁电薄膜的疲劳机理,对比了钙钛矿结构铁电体与铋层类钙钛矿结构铁电体的区别,介绍了铋层类钙钛矿结构铁电材料的优良抗疲劳性能与该类铁电材料结构的密切关系,和为提高铋层类钙钛矿结构铁电薄膜Bi4Ti3O12的抗疲劳性能所采取的掺杂改性的研究现状,并针对目前铁电薄膜制备中存在的问题提出了今后研究需着重解决的关键问题。; 黄平徐廷献; 关键词：铁电薄膜钙钛矿结构掺杂改性

分凝对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-38%PbTiO_3单晶的成分及介电、压电性能的影响被引量：1: 2003年; 研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响.XRFA分析表明,PMNT62/38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol％,而顶部的PT含量为43mol％.底部晶体(001),(110)和(111)三种切型的晶片加电场极化后,其介电和压电性能出现了异常的现象.(110)切型的压电模量最大,为1200pC/N;(111)次之,为789pC/N;(001)最低,为371pC/N.极化后的(110)和(111)晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数(两种切型的εr都在10000左右),约为(001)晶片(εr-5000)的1倍,并且介电常数在低温端有上升的趋势.; 曹虎方必军徐海清罗豪甦; 关键词：压电性能铁电体介电性能钛酸铅

SrBi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜的制备工艺及薄膜生长机理研究被引量：9: 2006年; 以氯化锶,硝酸铋和钛酸丁酯为原料,柠檬酸为络合剂,乙二醇为交联剂,无水乙醇为钛酸丁酯的溶剂,盐酸为硝酸铋的溶剂,去离子水为氯化锶的溶剂,配制了稳定的SrBi4Ti4O15(SBTi)前驱液.采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了a轴取向增强的SBTi铁电薄膜.研究了一次性晶化快速退火工艺、两层晶化快速退火工艺、逐层晶化快速退火工艺以及成膜次数对薄膜结晶性、微观结构和生长行为的影响.实验结果表明,逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成;随着涂覆次数的增加,薄膜的结晶性变好;由于SBTi晶体生长的各向异性及单层膜厚对晶体沿(119)方向生长的限制,随着涂覆次数的增加,SBTi薄膜(119)峰和(200)峰的强度逐渐增大,而(00l)峰的强度反而略有减小,从而使I(200)/I(119),I(200)/I(0010),I(119)/I(0010)逐渐增大.; 黄平徐廷献崔彩娥; 关键词：铁电薄膜

低温烧结SrBi_4Ti_4O_(15)/Ag复合材料的制备及其介电特性被引量：1: 2005年; 采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料,通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究,并测量样品的介电温度谱。结果表明:复合材料是由SBTi和Ag两相组成。微量金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下;可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数,但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入压抑了介电温度曲线上的介电常数的Curie峰。; 黄平徐廷献; 关键词：铁电陶瓷 SRBI4TI4O15 银复合材料

氧化物半导体丙酮气敏传感器材料研究与应用被引量：4: 2004年; 低浓度丙酮气体的检测在监测工业生产、食品质量、畜牧业和疾病等中有重要的作用。综述了近年来氧化物半导体丙酮气敏传感器材料的研究进展,并对传感器材料的形态、制备方法、敏感机理及存在的问题进行了分析,指出了发展方向。; 古彦飞季惠明张颖; 关键词：氧化物半导体丙酮气敏传感器气体检测

国家自然科学基金(59995520)

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