国家自然科学基金(60501015)
- 作品数：13 被引量：63H指数：5
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- 相关机构：西北工业大学西安科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- ZMT3/NZC“三明治”叠层结构低温共烧研究
- 2008年
- 采用湿法拉膜成型工艺,以收缩率大的(Zn_(0.7)Mg_(0.3))TiO_3(简称ZMT3)材料作为夹层材料,以收缩率相对小的铁氧体材料(Ni_(0.8)Zn_(0.12)Cu_(0.12))Fe_(1.96)O_4(简称NZC)作为两边收缩控制层,获得"三明治"叠层结构.以独特的零收缩差技术,制备了界面结合紧密,无翘曲变形、开裂等缺陷,可于900℃烧结的"三明治"结构叠层共烧体,其最佳介电性能为:ε_r=12,tanδ=9.84×10^(-4).这项新技术的提出,为解决异种材料共烧时所经常产生的翘曲、变形等缺陷提供了一种新的解决思路.
- 刘向春田长生
- 关键词：陶瓷复合材料
- 合成工艺对ZnVSb基压敏陶瓷性能的影响被引量：2
- 2007年
- 研究了三种合成工艺对ZnVSb系压敏电阻烧结、显微结构和性能的影响。通过对陶瓷密度、显微结构及电学特性的检测、分析发现:化学计量比相同情况下,与V2O5+Sb2O3预热处理工艺相比,以SbVO4取代Sb2O3合成工艺及传统氧化物合成工艺逐步加剧了尖晶石相在材料中的形成和掺杂元素在晶界的偏聚;导致材料内部晶界势垒逐渐升高,材料的非线性系数及压敏电压逐渐上升。研究结果为ZVSb系压敏电阻材料的设计、制备提供了新的思路。
- 赵鸣王卫民高峰张慧君田长生
- 关键词：合成工艺
- B_2O_3掺杂Co_2Z的低温烧结及磁性能研究被引量：3
- 2007年
- 以掺杂B2O3与Cu2+取代相结合对Co2Z型高频软磁铁氧体材料的低温烧结规律进行了研究,并分析了掺杂B2O3降低Co2Z烧结温度及对磁性能影响的机理。研究表明,B2O3掺杂引起Co2Z型铁氧体材料中Z相向M相转化,且随着B2O3掺杂量的增大M相增多,磁导率减小。掺杂B2O3与Cu2+取代显著地降低了Co2Z陶瓷的烧结温度。950℃烧结时,其体积密度为5.02 g/cm3,相对密度为94%,起始磁导率为2.5,是制造高频多层片式电感器的理想介质材料。
- 燕小斌高峰刘向春田长生
- V_2O_5-B_2O_3掺杂钛酸锌陶瓷的相转变及晶粒生长动力学被引量：13
- 2006年
- 通过化学法结合固相烧结技术制备了钛酸锌陶瓷，掺杂V2O5和B2O3降低了陶瓷的烧结温度，研究了V2O5-B2O3掺杂钛酸锌陶瓷的低温烧结行为、降温机制、相转变机制以及晶粒生长动力学特性．结果表明，V2O5-B2O3掺杂有效地将钛酸锌陶瓷烧结温度从1100℃降至900℃以下；V2O5-B2O3复合掺杂缩小了六方相分解的温度区间；高V2O5含量的复合掺杂试样中，产生了异常长大的晶粒，随B2O3加入量增加，晶粒趋于均匀一致；采用TPRE（Tradition Phenomenological Rate Equation）描述晶粒生长机制，计算得晶粒生长激活能为315．5kJ／mol，晶粒生长表达式为：G=Ko 7√texp（-315.5×10^3/RT）.
- 刘向春赵丽丽高峰燕小斌田长生
- 关键词：钛酸锌X射线衍射动力学
- WO_3-B_2O_3复合掺杂钛酸锌陶瓷的低温烧结和相转变被引量：7
- 2006年
- 采用传统氧化物混合法结合半化学工艺制备了钛酸锌陶瓷,研究了WO3-B2O3复合掺杂对陶瓷低温烧结行为、低烧机制和相转变的影响。研究结果表明:WO3-B2O3掺杂将陶瓷烧结温度从1100℃降至900℃;WO3和B2O3的降温机制不同,前者主要是固相反应烧结机制,而后者应为液相烧结机制;WO3促进了六方相ZnTiO3的分解,对其原因进行了探讨;测试了不同频段下试样的介电性能,发现不同频段下,极化机制不同。
- 刘向春高峰田长生
- 关键词：钛酸锌半化学法相转变
- V／Sb预合成粉对ZnO-V_2O_5基压敏电阻材料的影响
- 2006年
- 基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在95℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98％、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料。Sb以V2O5／Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结。随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn22离子的取代量增加,材料内部VZn n等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性。
- 赵鸣王卫民张慧君高峰田长生
- 高性能ZnV Sb系压敏电阻陶瓷的制备
- 2006年
- 在传统工艺基础上,对V2O5/Sb2O3混合粉体先进行热处理,然后以热处理产物为主要掺杂剂,在950℃合成了显微结构均匀、相对密度98%以上、α大于50的ZnVSb系多元压敏电阻陶瓷材料。并研究了V2O5/Sb2O3预合成粉含量对材料显微结构和性能的影响。结果表明:V2O5/Sb2O3预合成粉含量升高,增大了晶界受主态密度,提高了材料的晶界势垒,使材料在压敏电压升高的同时,非线性系数得到改善。
- 赵鸣刘向春王卫民高峰田长生
- 关键词：电子技术高性能
- LTCCs用低温烧结(Zn，Mg)TiO_3介电陶瓷被引量：4
- 2007年
- 通过化学法结合固相烧结技术制备了(Zn,Mg)TiO_3(简称ZMT)陶瓷,掺杂V_2O_5降低陶瓷的烧结温度,研究了V_2O_5掺杂ZMT陶瓷的低温烧结行为、相转变以及介电性能。结果表明:化学法结合V_2O_5掺杂有效地将钛酸锌陶瓷烧结温度从1200～1300℃降至900℃以下;Mg的加入增强了六方相的热稳定性,扩展了六方相的稳定区间。V_2O_5掺杂ZMT陶瓷具有良好的介电性能,875℃烧结的ZMT陶瓷介电常数ε_r=22,介电损耗tanδ=5.7×10^(-4),是制备LTCCs(低温共烧陶瓷电容器)的优秀候选材料,具有很好的应用前景。
- 刘向春高峰许冰赵鸣田长生
- 关键词：相结构
- Nd_2O_3掺杂(BaSr)TiO_3对陶瓷结构和性能的影响被引量：8
- 2007年
- 采用常规固相反应法,以Ba0.6Sr0.4TiO3+10%MgO(BSTO)体系为基体成分,研究了Nd2O3掺杂对其显微组织结构和介电性能的影响规律,结果表明掺杂Nd2O3后,抑制了BSTO晶粒的生长;随着Nd2O3掺杂量的增加,陶瓷的晶粒尺寸变小,密度增大,材料的居里温度向负温度方向移动,并且展宽了介电峰,使材料的温度稳定性提高,此外,随着Nd2O3掺杂量的增加,材料的可调性减小,介电常数减小。
- 高峰刘向春赵鸣刘佳骥田长生
- 关键词：无机非金属材料介电性能显微结构
- ABO_3型钛铁矿结构化合物的容差因子被引量：18
- 2008年
- 通过结构解析,建立了ABO_3型钛铁矿的容差因子计算公式以评估结构的稳定性,经过分析具有钛铁矿结构的MgTiO_3、NiTiO_3、CoTiO_3、ZnTiO_3以及(Zn_(1-x),M_x)TiO_3(M为Mg、Ni、Co)复合钛铁矿的稳定性,验证了容差因子公式的合理性;通过对已发现的具ABO_3型钛铁矿结构的化合物的统计分析,提出形成稳定钛铁矿结构的经验容差因子范围和经验电负性差值,即:t>0.80,e>1.465.
- 刘向春高峰邓军平田长生
- 关键词：钛铁矿稳定性
