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武器装备预研基金(9140C09030506DZ02)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：李肇基罗小蓉张波更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电场分布
  • 1篇调制
  • 1篇纵向电场
  • 1篇解析模型
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压器件
  • 1篇SOI高压器...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇张波
  • 1篇罗小蓉
  • 1篇李肇基

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型被引量：1
2006年
提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%.
罗小蓉李肇基张波
关键词：纵向电场调制击穿电压
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