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颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺被引量：4: 2004年; 主要阐述了以低纯度颗粒硅带(SSP-Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池的制备,给出制得的太阳电池I-V曲线和光谱响应曲线并由此讨论影响电池性能的可能因素,着重分析了颗粒硅带衬底的作用。目前,在没有任何电池工艺优化的条件下,在低纯度硅带上制得多晶硅薄膜电池的转换效率通常在5％～7％范围(电池面积1cm2)。; 班群沈辉王晓晶; 关键词：多晶硅薄膜太阳电池

PC1D方法对颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池转换效率的分析: 本文采用PCID太阳电池软件模拟的方法,对以颗粒硅带(SSP—Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CSiTF)太阳电池的光电转换效率作了模拟分析,给出1cm面积的电池的性能模...; 班群沈辉

纳米Fe_3O_4颗粒改性详析被引量：34: 2001年; 详细解析了Fe3O4 纳米颗粒的改性条件 ,并对表面活性剂的用量进行了理论估算 ,实验确定了表面活性剂的用量 .研究结果表明 :pH值对改性效果影响明显 ,酸性或强碱性环境对改性均不利 ;油酸和硬脂酸按一定比例混合使用 ,可提高改性效果 ;IR图谱显示了油酸的羧基发生了漂移 ,表明油酸与纳米Fe3O4; 王伟沈辉; 关键词：纳米FE3O4颗粒 PH值 TEM 磁性液体纳米磁性材料

低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池: 2003年; 以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.; 梁宗存; 关键词：颗粒硅带衬底

外延晶体硅薄膜电池的EBIC与SR-LBIC特性分析: 2003年; 电子束诱导电流(EBIC:Electron Beam Induced Current)是研究晶体缺陷(如晶界、位错、沉淀等)复合特性的一种有力工具.该文对以颗粒硅带为衬底的晶体硅薄膜电池表面及电池截面的晶体缺陷、特别是对晶界的复合行为进行了研究.电池表面EBIC照片表明复合中心位于晶界处,在小颗粒集中区域复合越强.截面的EBIC结果表明在颗粒晶界处分别有着强弱复合,与晶界处强的复合行为相比,颗粒内部没有或仅有比较弱的复合行为发生.靠近电池表面处的颗粒晶界和颗粒内部复合行为由于H钝化得到减弱,少数载流子扩散长度随深度的增加而降低.光谱决定的光束诱导电流(SR-LBIC)表明扩散长度在整个电池表面是不均匀的,最大扩散长度与外延层厚度相当.; 梁宗存; 关键词：薄膜太阳电池晶界

RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究: 2003年; 利用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在高纯石英衬底上分别制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜,并利用XRD、SEM高阻Hall测量和光电导谱测量技术研究了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的本征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的择优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大改善.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率因而具有更好的电学性能.光电导谱则量结果表明所制备的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV.; 艾斌; 关键词：多晶硅薄膜电学性能

外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究被引量：3: 2004年; 为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素,对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究.结果表明,颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度,它不但增加了电池表面的漫反射,也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松,最终影响了减反射膜的陷光效果;沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差,较重的晶界复合限制了少子扩散长度,使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏.所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想,电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响.高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的,低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的.; 艾斌沈辉班群梁宗存陈如龙施正荣廖显伯; 关键词：颗粒硅带电池性能减反射膜量子效率硅衬底

掺银TiO2纳米晶的谱学研究: 用溶胶凝胶方法(Sol-gel)制备了掺银TiO纳米晶。用热分析 (TG, DTA)、 X射线衍射 (XRD)、红外光谱( IR)及紫外-可见光谱 (UV-VIS)对粒子的结构、光学特性进行了分析。结果表明:TiO2纳米...; 尹荔松沈辉; 关键词：纳米 TIO2 光学特性; 文献传递

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展被引量：22: 2005年; 从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6.05%。; 胡芸菲沈辉梁宗存刘正义; 关键词：多晶硅薄膜颗粒硅带化学气相沉积

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中国科学院“百人计划”(99-019-422288)