贵阳市科学技术计划项目(2012101-2-4)
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 相关作者：邓朝勇崔瑞瑞李绪诚李良荣罗思远更多>>
- 相关机构：贵州大学清华大学更多>>
- 发文基金：贵州省科技计划项目贵阳市科学技术计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程一般工业技术电子电信更多>>
- 荧光粉Zn_3Ga_2(Ge/Si)_2O_(10)∶Cr^(3+)的制备与发光性能研究
- 2014年
- 采用高温固相法制备了新型近红外长余辉荧光粉Zn3Ga2(Ge/Si)2O10∶2.5%Cr3+.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)和余辉测试等手段对所制备的样品进行结构表征和发光性能的分析。研究结果表明Zn3Ga2Ge2O10∶Cr3+和Zn3Ga2Si2O10∶Cr3+荧光粉性能差别很大。样品的激发和发射光谱均为宽带谱,且发射光谱(Cr3+的4T2→4A2跃迁引起的650 nm到800 nm宽带谱)的最大峰值位于698 nm左右,属于Cr3+的2E→4A2跃迁,为近红外发射。样品在380 nm到650 nm之间呈现出两个宽吸收带,属于Cr3+离子4T2→4A1和4T2→4A2能级跃迁。样品在用中心波长为365 nm的紫外灯激发之后,呈现出了长达30多小时的余辉衰减特性。
- 申凤娟崔瑞瑞黄维超邓朝勇
- 关键词：高温固相法近红外长余辉
- 助熔剂对Ca_(0.98)Bi_2Ta_2O_9:0.02Pr^(3+)发光性能的影响被引量：2
- 2013年
- 采用传统高温固相反应法制备了Pr3+离子掺杂的铋层结构铁电氧化物Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)荧光粉。利用X射线衍射、荧光光谱等研究了分别添加四种不同助熔剂(H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2)对CBTO:Pr3+粉体的晶体结构、发光强度的影响。结果表明,与未加助熔剂的样品相比,H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2的添加量为5%(摩尔分数)时,CBTO:Pr3+的发光强度分别提高了63%,43%,43%和29%;助熔剂的添加量为10%时,发光强度分别提高了186%,10%,13%和31%。随着H3BO3添加量的增加,CBTO:Pr3+的发光强度先增强后降低,在添加量为10%时,发光强度最大。样品温度特性测试表明CBTO:Pr3+粉体的热稳定性需要进一步改善。
- 吴莘崔瑞瑞李绪诚李良荣邓朝勇
- 关键词：助熔剂固相烧结法稀土
- 黄色荧光粉CaBi_2Ta_2O_9:Dy^(3+)的制备及发光性能
- 2014年
- 采用高温固相反应法制备了Dy3+掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9(CBTO)荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)测试和荧光光谱(PL)的测定。研究表明:荧光粉CBTO:Dy3+的最强激发峰为450 nm,与商用蓝光LED的发射光波长相匹配,发射带峰值位于574 nm,对应于Dy3+的电偶极跃迁4F9/2→6H13/2。分析了Dy3+摩尔分数对样品发光强度的影响,其最佳摩尔分数为7%,根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。分别研究了电荷补偿剂Li+、Na+和K+对CBTO:Dy3+发射光谱的影响,结果显示不同的电荷补偿剂均能不同程度地提高样品的发光强度。
- 李金岚崔瑞瑞邓朝勇
- 关键词：白光LED光致发光浓度猝灭
- GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片的设计研究
- 2013年
- 对GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片结构进行了优化设计,并详细介绍了它的工作原理。文中采用Cadence公司的Virtuoso Spectre Circuit Simulator软件,通过设计芯片像素单元TFT晶体管的参数,研究了阵列芯片中LED的输出电流波形。仿真结果显示通过阵列芯片中LED电流达到了54.86mA,为芯片提供了足够的导通电流。研究结果表明TFT-LED有源阵列显示芯片结构的优势在于减少外围设备的同时增大导通电流。
- 杨利忠李绪诚吴震李良荣邓朝勇
- 关键词：TFTGAN基LEDCADENCE有源阵列
- 荧光粉Sr_2SiO_4:Eu^(2+)中不同格位发光研究被引量：8
- 2013年
- 采用高温固相反应法制备了Sr2SiO4:xEu2+荧光粉,研究Eu2+所占据的Sr2SiO4中Sr1和Sr2两个不同格位及掺杂浓度和激发波长对格位发光的影响。荧光粉发射光谱为一双峰的宽发射光谱,可拟合为峰值位置位于480nm和530nm的两条高斯曲线,分别对应Eu2+所占据的Sr1和Sr2两个不同格位的发射。随着Eu2+掺杂浓度增加,Sr1和Sr2格位的发光强度均出现浓度猝灭现象,Sr2格位的长波长发射峰出现明显红移现象,而Sr1格位的短波长发射峰发生红移-蓝移-红移现象,这与Sr1和Sr2格位的优先占据以及格位间能量传递有关。随着激发波长的增加,Sr2格位的长波长发射的发光强度与Sr1格位的短波长发射的发光强度比值增加,占据不同格位的Eu2+对不同激发波长表现出明显的选择激发效应。
- 吴霞李绪诚罗思远龚新勇邓朝勇
- 关键词：SR2SIO4EU^2+格位浓度猝灭
- 复合陶瓷BaTiO_3/Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4的常温巨介电特性研究被引量：2
- 2014年
- 采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。
- 任丽张荣芬李峥张安邦邓朝勇
- 关键词：钛酸钡镍锌铁氧体复合陶瓷巨介电常数介电损耗
- Pr^(3+)对CaBi_4 Ti_4O_(15):Eu^(3+)发光性能的影响
- 2013年
- 本文研究了采用传统的高温固相反应法所合成的CaBi4Ti4O15:Eu3+荧光粉的微观结构及光学性质。通过X射线衍射仪和扫描电镜分析了荧光粉的物相及其显微结构,并利用荧光光谱仪测试了CaBi4Ti4O15:Eu3+荧光粉的激发和发射光谱。当样品采用465 nm的蓝光激发时,其主发射峰位于594 nm和615 nm处,分别对应于5D0→7F1,5D0→7F2的辐射跃迁。研究了Eu3+离子浓度对发光性能的影响,在其掺杂浓度为0.20 mol%时达到最大值。最后,研究了Pr3+离子对CaBi4Ti4O15:Eu3+荧光粉发光性能的影响。实验结果表明,适量的掺杂Pr3+离子可以提高产品的发光性能。
- 王新崔瑞瑞邓朝勇
- 关键词：荧光粉光致发光BLSF
