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硅纳米槽微环谐振器温度特性研究被引量：4: 2010年; 理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5μm半径槽微环在1.55μm附近的谐振波长随温度变化为0.049nm/℃,而相同温度、半径以及折射率情况下纳米线微环谐振波长随温度变化为0.092nm/℃,是槽微环的1.88倍。而且改变槽微环的槽宽和两侧Si条的宽度也会对微环的温度特性有影响,增加槽宽或者减小Si条宽度都会使谐振波长随温度的变化进一步减小。通过采用负温度系数聚合物材料WIR30-490和优化槽波导的结构参数,使得温度对微环谐振波长的影响降低到0.0023nm/℃。; 宋世娇安俊明赵雷吴远大胡雄伟; 关键词：集成光学微环温度稳定性

Si纳米线阵列波导光栅制备被引量：4: 2010年; 采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm。利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为11 nm,通道间的串扰为18 dB。通过电子束曝光(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀制备了所设计的器件,光输出谱测试分析表明,器件中心通道的片上损耗为9 dB,通道间隔为8.36～10.40 nm,中心输出通道的串扰为6 dB。在误差允许范围内,设计和测试的结果一致。; 张家顺安俊明赵雷宋世娇吴远大胡雄伟

基于绝缘层上硅平坦化阵列波导光栅的单纤三向器(英文)被引量：1: 2008年; 设计了基于绝缘层上硅(SOI)平坦化阵列波导光栅单纤三向器.三向器三个波长(1310,1490和1550nm)工作在阵列波导光栅的三个不同的衍射级数,并在阵列波导光栅的输入波导末端引入多模干涉器(MMI),实现了平坦响应的三波长波分复用.模拟结果表明基于这一设计的三向器3dB带宽为6nm,串扰小于-40dB,插损为5dB.制备的三向器经测试输出光场清晰,实现了三向器的功能.; 安俊明吴远大李健王红杰李建光李俊一胡雄伟; 关键词：集成光学阵列波导光栅单纤三向器

硅纳米槽微环传感器的优化: 槽波导微环谐振器的谐振光谱对槽内材料折射率的改变有很好的响应特性,可以作为传感器应用于对气体,液体等的探测。本文分析纳米线微环和槽波导微环对环境折射率变化的灵敏度,以及Wh（两侧Si条的宽度）和Ws（中间的槽宽）的变化对...; 宋世娇安俊明赵雷王亮亮吴远大胡雄伟; 关键词：集成光学微环传感器; 文献传递

16 channel 200 GHz arrayed waveguide grating based on Si nanowire waveguides被引量：1: 2011年; A 16 channel arrayed waveguide grating demultiplexer with 200 GHz channel spacing based on Si nanowire waveguides is designed.The transmission spectra response simulated by transmission function method shows that the device has channel spacing of 1.6 nm and crosstalk of 31 dB.The device is fabricated by 193 nm deep UV lithography in silicon-on-substrate.The demultiplexing characteristics are observed with crosstalk of 5-8 dB,central channel’s insertion loss of 2.2 dB,free spectral range of 24.7 nm and average channel spacing of 1.475 nm.The cause of the spectral distortion is analyzed specifically.; 赵雷安俊明张家顺宋世娇吴远大胡雄伟; 关键词：阵列波导光栅 GHZ 解复用器传递函数法信道间隔

8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作被引量：2: 2010年; 设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3～1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。; 赵雷安俊明张家顺宋世娇吴远大胡雄伟

基于SOI AWG的单纤三向器研制: 本文采用绝缘层上硅(SOI)阵列波导光栅(AWG)结构制备了光纤到户用单纤三向器(Triplexer)。输出模场测试结果表明三个波长输出光斑清晰,实现了1490nm和1550nm下行波长的分波和1310nm波长的上传功能...; 安俊明李俊一吴远大李健光王红杰胡雄伟; 关键词：光纤到户单纤三向器阵列波导光栅绝缘层上硅; 文献传递

基于Si纳米线AWG的超紧凑单纤三向滤波器设计: 2010年; 采用绝缘层上Si(SOI)纳米线阵列波导光栅(AWG)结构设计了超紧凑光纤到户(FTTH)单纤三向滤波器。二维时域有限差分(2D-FDTD)模拟输出光场表明,3个波长光信号输出光场清晰,实现了1490 nm和1550nm下行波长的解复用和1310 nm波长的上传复用功能;进一步的输出功率模拟表明,当各波长信号输入功率为1 mW时,1490 nm端口输出功率为0.49 mW,1550 nm端口输出功率为0.49 mW,1310 nm上传信号功率为0.55 mW,相应的插入损耗分别约为-3.1、-3.1和-2.6 dB。各端口的串扰光功率可被抑制到-25.2 dBm以下,相应的串扰小于-22.6 dB。采用电子束(EB)光刻结合诱导耦合等离子干法(ICP-RIE)刻蚀,制备出了Si纳米线单纤三向滤波器,经红外CCD成像观察到器件具有3个波长的分波功能。; 安俊明李俊一宋世娇赵雷吴远大胡雄伟

基于硅基定向耦合器的单纤三向器设计被引量：1: 2009年; 设计了基于硅基二氧化硅定向耦合器的光纤到户单纤三向器。通过定向耦合器耦合系数对波长的信赖性,在相同的耦合长度下实现单纤三向器三个波长(1310nm,1490nm和1550nm)的全周期耦合或半周期耦合,使三个波长信号从不同的耦合臂输出,完成三向器粗分波功能。有限差分束传播法(FD-BPM)模拟结果表明三向器损耗小于0.5dB,三个响应波长的1dB带宽即可满足ITU.984带宽要求,最优串扰为-14dB。; 杨淑英安俊明李俊一; 关键词：硅基二氧化硅定向耦合器单纤三向器

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国家高技术研究发展计划(2006AA03Z420)