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国家自然科学基金(51105104)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王树峰孙少鹏付明亮王春青杭春进更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学中国石油天然气集团公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇热电薄膜
  • 1篇热电材料
  • 1篇溅射
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇SB

机构

  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇中国石油天然...

作者

  • 1篇杭春进
  • 1篇王春青
  • 1篇付明亮
  • 1篇孙少鹏
  • 1篇王树峰

传媒

  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Sb_2Te_3热电薄膜磁控溅射制备工艺被引量：1
2013年
Sb2Te3基半导体合金是目前性能较好的热电半导体材料。将材料低维化处理可以获得较块状材料更大的热电优值。通过磁控溅射工艺制备低维Sb2Te3薄膜,并通过AFM、XRD和XPS测试方法对薄膜的成分、薄膜表面以及原子偏析进行表征。通过退火工艺去除薄膜应力,观察退火工艺前后薄膜表面形貌的变化以及退火温度对薄膜表面质量的影响。试验结果表明通过磁控溅射工艺所制备出的Sb2Te3薄膜为非晶态,随着溅射功率增大,薄膜的表面粗糙度增大。退火可使薄膜变为晶态,但是表面粗糙度增大。较大或较小溅射功率下所制备的薄膜其合金成分与合金靶材有较大偏差。
杭春进付明亮孙少鹏王树峰王春青
关键词：热电材料磁控溅射
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