广西壮族自治区自然科学基金(0832247)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：王华冯湘刘丽任明放许积文更多>>
- 相关机构：桂林电子科技大学郑州铁路职业技术学院更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- ITO玻璃基PLZT铁电材料的制备和性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬底上制备生长(Pb0.92La0.08)(Zr0.53Ti0.47)O(3PLZT)铁电薄膜,研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响。结果表明,经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强(55kV/cm)和剩余极化强度(38μC/cm2),薄膜的漏电流可达最低值(7.1nA),薄膜具有较好的介电性及透光性。
- 刘丽王华许积文任明放杨玲
- 关键词：PLZT退火温度SOL-GEL
- La、Nb掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)薄膜介电性能和C-V特性的影响被引量：1
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响。研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加,Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小。x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6%;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移。
- 冯湘王华
- 关键词：介电性能漏电流C-V特性
- La/Nb掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)薄膜铁电性能和疲劳特性的影响
- 2010年
- 采用溶胶–凝胶工艺(sol–gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上分别制备Bi4–xLaxTi3O12和Bi4Ti3–yNbyO12铁电薄膜,研究La/Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能和疲劳特性的影响。结果表明:La/Nb掺杂均能有效改善Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能和疲劳特性。当La摩尔(下同)掺量在0.5～0.75时,La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的性能改善作用最好,而且在明显提高薄膜铁电性能的同时,对薄膜疲劳特性的改善更加显著,薄膜经1010极化反转后,其剩余极化强度(Pr)仅下降5.1%。Nb掺杂对提高薄膜铁电性能的作用更加明显,Nb掺量为0.06时,Bi4Ti3–yNbyO12薄膜的Pr高达18.7μC/cm2,但Nb掺量不宜过多,当Nb掺量超过0.06以后,薄膜的铁电性能和疲劳特性均反而有所下降。
- 冯湘王华
- 关键词：铁电薄膜钛酸铋镧掺杂铁电性能
