国家自然科学基金(50142016)
- 作品数：3 被引量：58H指数：3
- 相关作者：施朝淑杨晓杰杨秀健许小亮付竹西更多>>
- 相关机构：中国科学技术大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 纳米ZnO和ZnO∶Eu^(3+)的表面效应及发光特性被引量：33
- 2002年
- 纳米ZnO ,ZnO :Eu3+ 及其添加覆盖层样品的光谱性质表明 ,表面有机物覆盖层具有改善发射光谱 ,增强基质与Eu3+ 间能量传递的良好效果 .通过比较不同温度 (6 0 ,80 0℃ )处理的ZnO :Eu3+ 发光强度 ,发现了小尺度 (纳米 )
- 杨秀健施朝淑许小亮
- 关键词：发光特性ZNOEU掺杂铕掺杂光谱性质
- Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光被引量：13
- 2003年
- 几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。
- 许小亮徐军徐传明杨晓杰郭常新施朝淑
- 关键词：ZNO薄膜硅衬底薄膜生长氧化锌薄膜高温退火
- p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展被引量：14
- 2003年
- ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段。即p型ZnO和ZnO p-n结的制备与特性研究。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂。本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnO p-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnO p-n结所面临的问题。
- 许小亮杨晓杰付竹西
- 关键词：P-N结ZNO发光二极管激光器件半导体材料
