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黑龙江省留学归国人员基金(LC01C11)

作品数:7 被引量:30H指数:4
相关作者:孙秀冬任常愚张建隆宫德维孟庆鑫更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学黑龙江科技学院更多>>
发文基金:黑龙江省留学归国人员基金教育部“优秀青年教师资助计划”哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金资助更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 2篇机械工程

主题

  • 4篇液晶
  • 3篇向列相
  • 3篇向列相液晶
  • 3篇二波耦合
  • 2篇衍射
  • 2篇折变
  • 2篇光折变
  • 2篇光折变效应
  • 2篇C_(60)
  • 1篇调制
  • 1篇衍射效率
  • 1篇载流子
  • 1篇特征值
  • 1篇铁掺杂
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振光
  • 1篇全息
  • 1篇自相位调制
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇铌酸锂晶体

机构

  • 6篇哈尔滨工业大...
  • 1篇黑龙江科技学...

作者

  • 5篇孙秀冬
  • 4篇任常愚
  • 2篇孟庆鑫
  • 2篇宫德维
  • 2篇张建隆
  • 1篇侯春风
  • 1篇杨志永
  • 1篇任敦亮
  • 1篇裴延波
  • 1篇郭汝海
  • 1篇时红艳
  • 1篇姜洪喜
  • 1篇金永君

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇液晶与显示
  • 1篇科技导报
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
向列相液晶动态全息存储特性的研究被引量:9
2005年
研究了C60掺杂向列相液晶中全息光栅的形成,实验中我们利用了一种特殊的全息再现方法:即低电压记录,高电压再现,观察到清晰的全息再现像 实验结果表明样品具有良好的全息存储能力 分析了电压对实验结果的影响,实验表明:为了避免动态散射的出现应使用较低的记录电压,而再现时应采取高电压以重新激发隐藏的光栅,提高再现的质量。
任常愚孙秀冬
关键词:非线性光学全息向列相液晶
利用双载流子四陷阱模型解释Zn:Fe:LiNbO_3晶体记录过程中的自擦除现象被引量:6
2004年
比较了掺Fe量相同的两种晶体Fe :LiNbO3和Zn :Fe :LiNbO3的光折变性能 ,并且给出了Zn :Fe :LiNbO3晶体光电导和衍射效率与入射总光强的关系 .在Zn :Fe :LiNbO3晶体二波耦合实验中观察到衍射效率随记录时间的增长先增加 ,达到饱和后又逐渐减小的自擦除现象 ,并采用光折变双载流子四陷阱模型对该现象加以解释 .在此基础上选择合适的曝光时序 ,利用角度复用技术在该晶体中进行体全息存储 ,并在同一点上存入
孟庆鑫宫德维张建隆孙秀冬
关键词:铌酸锂晶体铁掺杂
偏振光下向列相液晶(5CB∶C_(60))取向光折变特性的研究被引量:2
2005年
通过实验研究了外加电场对C60掺杂的向列相液晶(5CB)的取向光折变特性及水平和竖直偏振光对样品二波耦合和自相位调制现象的影响。通过测量样品的增益系数和光束耦合率可以看出,在水平偏振光照射下两束透射光有较强的能量转移而在垂直偏振光照射时几乎观察不到明显的能量耦合现象。可见,液晶盒中的分子取向与光束的偏振方向有很强的依赖关系。
任常愚孙秀冬裴延波
关键词:向列相液晶二波耦合自相位调制
光的偏振态对向列相液晶中光栅衍射的影响
2007年
通过二波耦合实验研究了不同偏振态的两束写入光在向列相液晶中形成光栅的衍射现象。实验发现,水平偏振态(P-P偏振)照射时形成的光栅具有比竖直偏振态(S-S偏振)照射时大得多的能量耦合,且能量耦合方向完全相反。更重要的是,当光栅形成之后改变其中一束光的偏振方向时,透射光和衍射光的强度会随着其中一束光的偏振态的改变而变化。可见,光的偏振态在决定NLC分子非线性取向时是一个非常重要的参数,在以后的光电子功能器件应用中与偏振光相关的分子取向产生的非线性光学现象将会非常有用。
任常愚金永君任敦亮姜洪喜
关键词:向列相液晶二波耦合
中心对称光折变材料中的小光强空间孤子被引量:4
2004年
给出了小光强条件下中心对称光折变材料中光波演化方程的亮、暗及灰空间孤子解析解 。
侯春风孟庆鑫宫德维张建隆
关键词:光折变材料光折变效应空间孤子
聚合物分散液晶(PMMA∶5CB∶C_(60))光折变特性的实验研究被引量:9
2003年
用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA∶5CB∶C60),C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性,实验发现,液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。
任常愚孙秀冬杨志永
关键词:聚合物分散液晶光折变效应二波耦合衍射效率
用格林函数法计算量子点中的应变分布被引量:1
2004年
自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研究热点 .由GaAs包围的InAs小岛 ,由于较大的晶格失配 (≈ - 0 0 6 7) ,应变效应在量子点的形成过程中起主导作用 .大部分计算量子点结构应变分布的方法都是基于数值解法 ,需要大量的计算工作 .给出用格林函数法推导各种常见形状量子点应变分布的解析表达式详细过程 ,讨论了弹性各向异性和形状各向异性对量子点应变分布的影响程度 .结果表明对于不同形状量子点结构中主要部分的应变分布都是相似的 。
郭汝海时红艳孙秀冬
关键词:量子点材料格林函数法特征值物理学晶格失配光电材料
共1页<1>
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