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国家高技术研究发展计划(2001AA513060)

作品数：5 被引量：28H指数：2
相关作者：沈辉梁宗存胡芸菲刘正义班群更多>>
相关机构：中国科学院中山大学华南理工大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇颗粒硅带
  • 4篇电池
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅薄膜
  • 4篇太阳电池
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 3篇多晶硅薄膜太...
  • 3篇硅薄膜太阳电...
  • 3篇衬底
  • 1篇特性分析
  • 1篇平整度
  • 1篇气相沉积
  • 1篇区熔
  • 1篇晶界
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇POLY
  • 1篇SR

机构

  • 3篇中国科学院
  • 3篇中山大学
  • 2篇华南理工大学

作者

  • 4篇沈辉
  • 3篇班群
  • 2篇刘正义
  • 2篇胡芸菲
  • 2篇梁宗存
  • 1篇王晓晶
  • 1篇闻立时
  • 1篇王磊
  • 1篇邹禧武

传媒

  • 4篇太阳能学报
  • 1篇华南理工大学...

年份

  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
共 5 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
PC1D方法对颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池转换效率的分析
本文采用PCID太阳电池软件模拟的方法,对以颗粒硅带(SSP—Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CSiTF)太阳电池的光电转换效率作了模拟分析,给出1cm面积的电池的性能模...
班群沈辉
用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量被引量：2
2005年
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高.
胡芸菲沈辉王磊邹禧武班群梁宗存刘正义闻立时
关键词：区熔颗粒硅带多晶硅薄膜平整度
低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池
2003年
以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.
梁宗存
关键词：颗粒硅带衬底
外延晶体硅薄膜电池的EBIC与SR-LBIC特性分析
2003年
电子束诱导电流(EBIC:Electron Beam Induced Current)是研究晶体缺陷(如晶界、位错、沉淀等)复合特性的一种有力工具.该文对以颗粒硅带为衬底的晶体硅薄膜电池表面及电池截面的晶体缺陷、特别是对晶界的复合行为进行了研究.电池表面EBIC照片表明复合中心位于晶界处,在小颗粒集中区域复合越强.截面的EBIC结果表明在颗粒晶界处分别有着强弱复合,与晶界处强的复合行为相比,颗粒内部没有或仅有比较弱的复合行为发生.靠近电池表面处的颗粒晶界和颗粒内部复合行为由于H钝化得到减弱,少数载流子扩散长度随深度的增加而降低.光谱决定的光束诱导电流(SR-LBIC)表明扩散长度在整个电池表面是不均匀的,最大扩散长度与外延层厚度相当.
梁宗存
关键词：薄膜太阳电池晶界
颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺被引量：4
2004年
主要阐述了以低纯度颗粒硅带(SSP-Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池的制备,给出制得的太阳电池I-V曲线和光谱响应曲线并由此讨论影响电池性能的可能因素,着重分析了颗粒硅带衬底的作用。目前,在没有任何电池工艺优化的条件下,在低纯度硅带上制得多晶硅薄膜电池的转换效率通常在5％～7％范围(电池面积1cm2)。
班群沈辉王晓晶
关键词：多晶硅薄膜太阳电池
多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展被引量：22
2005年
从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底,采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜,随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6.05%。
胡芸菲沈辉梁宗存刘正义
关键词：多晶硅薄膜颗粒硅带化学气相沉积
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