国家自然科学基金(60290081)
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- CIF格式转换为PG3600格式中任意多边形切割成矩形的算法研究(英文)
- 2008年
- 为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式转换软件,文章提出了微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的新的图形切割算法——沿边切割法,重点讨论任意多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几种常见的切割算法进行比较,说明该算法对于不规则图形的切割具有明显的优越性,最后给出所编软件运行的实验结果。
- 李金儒陈宝钦刘明赵珉
- 关键词：数据格式转换任意多边形CIFWINDOWS操作系统
- 单次可编程金属-分子-金属器件(英文)
- 2008年
- 提出了一种单次可编程的金属-分子-金属器件.该器件利用一种经过改良的Rotaxane LB膜作为功能层,可以和应用于场编程门阵列电路中的无机反熔丝器件相比拟,将在有机可编程电路和容错电路等方面有较广泛的应用.所有的加工工艺都是低温工艺,使得该器件可以和其他有机器件集成.电学测试表明该器件有良好的单次编程能力,其击穿电压为2.2V,关态电阻为15kΩ,而开态电阻为54Ω.据分析,这一特性是由非对称的电极结构和金属原子在高电场作用下穿透了分子薄膜所造成的.
- 商立伟刘明涂德钰甄丽娟刘舸
- 关键词：分子器件ROTAXANE
- 基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件(英文)
- 2008年
- 采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8～5V,将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5～-4.4V,与通常的CuTCNQ器件相比较小.这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器.
- 涂德钰姬濯宇商立伟刘明王丛舜胡文平
- 关键词：双稳态开关
- DBRTD直流特性的水动力学模拟(英文)
- 2006年
- 利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时,可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度、高的掺杂浓度以及恰当的间隔层厚度、势垒厚度和高度,可以提高RTD器件的峰谷电流比(PVCR)和峰电流密度,从而满足实际应用的需要。
- 易里成荣王从舜谢常青刘明叶甜春
- 关键词：水动力学模型直流特性
- 纳米电子器件及其集成
- 2006年
- 对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
- 刘明陈宝钦谢常青王丛舜龙世兵徐秋霞李志钢易里成荣涂德钰商立伟
- 关键词：单电子器件
- 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证(英文)
- 2005年
- 在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I V特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性.此外,通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别,得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因,即求解含有时间的主方程将增加模拟精度;而且,指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素,明显偏离理论模拟的线性增加趋势.
- 张立辉李志刚康晓辉谢常青刘明
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子隧穿
