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浙江省自然科学基金(y104599)

作品数：4 被引量：4H指数：2
相关作者：张海鹏沈世龙杨宝岳亚富徐文杰更多>>
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相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇漂移区
  • 2篇SOI
  • 1篇电阻
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇通态电阻
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体学
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇横向绝缘栅双...
  • 1篇TF
  • 1篇DRT
  • 1篇LIGBT
  • 1篇MC
  • 1篇新结构

机构

  • 4篇杭州电子科技...

作者

  • 4篇张海鹏
  • 1篇牛小燕
  • 1篇孙玲玲
  • 1篇邱晓军
  • 1篇李浩
  • 1篇胡晓萍
  • 1篇徐文杰
  • 1篇刘国华
  • 1篇岳亚富
  • 1篇杨宝
  • 1篇沈世龙

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇电子与封装
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国科技论文...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
TF SOI NLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接寿命模型及模拟
2011年
为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型,然后采用基于MATLAB平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。
张海鹏李浩刘国华牛小燕
DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性被引量：2
2006年
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能PowerICs应用的同心圆环源漏互包SOILIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。
张海鹏邱晓军胡晓萍沈世龙杨宝岳亚富
关键词：SOILIGBT新结构
漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型被引量：2
2007年
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响。计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部分,然后分别进行求解。然后综合得到SOI LIGBT通态电阻的近似模型,并讨论了影响SOI LIGBT通态电阻特性的主要因素,最后根据讨论结果提出改善措施。
徐文杰孙玲玲张海鹏
关键词：绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻
理想情况下晶体中热缺陷产生复合理论的改进模型
2007年
本文在理想情况下晶体中热缺陷产生复合经典理论的基础上,在描述正常格点原子形成间隙原子的过程中考虑晶体结构和晶格配位数对危险点数目的影响,依次修正晶体中危险点的数目与正常格点数目之比和单位时间内间隙原子的复合率,进而分别导出以间隙原子运动为主和以空位运动为主两种情况下理想晶体中正常格点位置上的原子形成间隙原子的概率的改进模型,以及在温度不太高时的改进模型近似结果。显然,改进模型的结果大于或等于经典模型的S倍。
张海鹏
关键词：晶体学
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