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中央高校基本科研业务费专项资金(10312E0220502051)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：周建军陈勇波徐跃杭徐锐敏国云川更多>>
相关机构：电子科技大学南京电子器件研究所更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声特性
  • 1篇声特性
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇放大器
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇GAN高电子...
  • 1篇HEMT

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇国云川
  • 1篇徐锐敏
  • 1篇徐跃杭
  • 1篇陈勇波
  • 1篇周建军

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究被引量：4
2011年
基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。
陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏
关键词：低噪声放大器
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共1页<1>
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