国家高技术研究发展计划(2004AA302032)
- 作品数：15 被引量：45H指数：4
- 相关作者：彭同江孙红娟刘海峰贾锐军马国华更多>>
- 相关机构：西南科技大学山东省交通科学研究所内蒙古机电职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- Cu掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏特性被引量：4
- 2008年
- 控制不同n（Cu^2＋）／n（Sn^4＋），用均匀共沉淀法制备了平均粒径约80nm的金红石型结构Cu掺杂SnO2纳米粉体；并以白云母为基片制备出Cu掺杂SnO2气敏元件。用TG—DSC、XRD、SEM对样品的相变、结构、形貌进行了分析，并测试了气敏元件的阻温特性和75℃氢气敏感性能。结果表明，Cu掺杂抑制了SnO2晶核的生长，使SnO2结晶度由约75％减小到50％，晶粒尺寸由约18nm减小到6nm；Cu掺杂使n型半导体SnO2的空气电阻值由1～8kΩ提高到9×10^5～3×10^7MΩ，并使元件在75℃对体积分数为2000×10^-6氢气的灵敏度提高约20倍；n（Cu^2＋）／n（Sn^4＋）≈0．01时，元件对体积分数为4000×10^-6氢气的灵敏度高达约42。
- 孙红娟彭同江樊亮刘海峰
- 关键词：SNO2掺杂气敏
- pH值在掺Ni纳米SnO_2粉末制备中的作用被引量：2
- 2007年
- 以SnCl4.5H2O、NiCl2.6H2O、氨水为主要原料,采用化学共沉淀法制备纯的及掺Ni的SnO2纳米粉体。针对重要的影响因素pH值运用原子吸收光谱、XRD、FT-IR等手段进行分析。XRD和FT-IR分析结果表明,pH在1.5～10之间均可合成SnO2;晶粒尺寸随着pH值的增大无显著改变。通过对掺Ni的Sn（OH）4胶体滤液中Ni元素的原子吸收光谱分析可知,pH值严重影响着杂质Ni的掺入量,Ni2＋掺入率在pH=8时出现极大值为99.97%。
- 贾锐军彭同江孙红娟刘海峰
- 关键词：PH值SNO2化学共沉淀法
- SnO_2纳米薄膜的溶胶-凝胶法制备及气敏性能被引量：8
- 2008年
- 以SnCl2.2H2O和无水乙醇为原料制备SnO2透明溶胶,通过浸渍法在云母基片上制备了SnO2纳米薄膜。利用XRD和AFM手段研究了薄膜的结构和形貌,结果表明,SnO2纳米薄膜的球形粒径约为15nm;随着薄膜沉积层数的增加或工作温度的升高,薄膜电阻逐渐减小。气敏特性研究表明,薄膜对H2有较好的敏感性。
- 贾锐军彭同江孙红娟刘海峰
- 关键词：SNO2薄膜溶胶-凝胶气敏性
- 掺杂纳米α-Fe_2O_3的微波合成与湿敏性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用微波法制备出一系列刚玉结构的掺杂Sn4+和Zn2+的-αFe2O3纳米粒子,并用厚膜工艺将粉体涂在陶瓷基片上制成湿敏元件。通过对粉体的XRD测试与分析发现,部分Sn4+和Zn2+以类质同象的方式进入到α-Fe2O3晶格中代替Fe3+,改变了-αFe2O3的晶胞参数,同时晶粒尺寸减小,达到微细化的效果。测试了元件在不同湿度下的电阻,结果表明掺杂提高了-αFe2O3的湿敏性。
- 孙红娟彭同江刘海峰梁晓璐
- 关键词：Α-FE2O3掺杂湿敏材料
- 掺Ni^(2+)金红石型SnO_2纳米粒子的制备及表征被引量：3
- 2008年
- 采用化学共沉淀法制备掺Ni2+的SnO2纳米粉体。研究表明,不同pH下得到的样品均为四方相金红石型结构的SnO2,在pH=5时,Ni2+的利用率出现极大值99.97%;升高煅烧温度或延长煅烧时间,样品结晶程度都会随之增高,同时晶粒尺寸也呈现增大的趋势;所得样品呈球形,粒径约为60 nm。将掺Ni2+的SnO2粉体涂于白云母表面制成元件,测试粉体的电性能以及气敏性能,结果表明,在温度由30℃上升到150℃的过程中,元件电阻从33.1 kΩ近似线性地降低到4.8 kΩ;H2体积分数越大,元件对其敏感程度越高。
- 贾锐军彭同江孙红娟刘海峰
- 关键词：SNO2化学共沉淀法气敏元件功能材料
- α-Fe_2O_3-Mica纳米薄膜的制备被引量：1
- 2007年
- 采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3.H2O作为主要原料,控制不同的Fe3+浓度、水解温度、溶液pH值及热处理温度,利用液相均匀沉淀法在白云母形成基片上制备了系列α-Fe2O3-Mica纳米薄膜.利用XRD、SEM对纳米膜的成分、结构及形貌进行了表征,结合α-Fe2O3-Mica纳米膜的形成机理讨论了工艺参数对制备过程及结果的影响,结果表明:液相均匀沉淀法制备的α-Fe2O3颗粒为纳米级,均匀沉积在白云母基片上形成致密膜,且得到了制备α-Fe2O3-Mica纳米膜的最佳参数.
- 刘海峰彭同江孙红娟
- 关键词：Α-FE2O3均匀沉淀法云母
- 室温气敏型Fe_2O_3纳米膜的制备及表征被引量：3
- 2009年
- 针对传统Fe2O3气敏元件工作温度高、响应时间长等缺点，采用分析纯FeCl3·6H2O和乙醇为主要原料，以Al2O3陶瓷片为基底，利用溶胶凝胶法制备了Fe2O3纳米膜及气敏元件。利用XRD（X射线衍射）、AFM（原子力显微镜）对纳米膜的结构及形貌进行了表征，结合Fe2O3纳米膜的形成机理，主要讨论了镀膜次数对薄膜结构、性能的影响；研究了薄膜元件的阻温特性及室温气敏性能。结果表明：镀膜20次后，Fe2O3颗粒粒径约为20-30nm，镀膜30次后，纳米膜平整、均匀、无裂纹；室温下薄膜元件便对H2、CH4有一定的气敏效应，响应时间小于3s，灵敏度随气体浓度变化呈线性关系。
- 刘海峰彭同江孙红娟马国华
- 关键词：FE2O3气敏室温
- Cu掺杂α-Fe_2O_3纳米粉体的掺杂量分析与X射线衍射研究被引量：6
- 2009年
- 采用分析纯FeCl3.6H2O和NH3.H2O为主要原料,控制不同n(Cu2+)/n(Fe3+),利用均匀共沉淀法制备了Cu掺杂的α-Fe2O3纳米粉体。通过原子吸收光谱(AAS)和X射线衍射(XRD)分析了样品中Cu2+的掺杂量,并研究了掺杂对α-Fe2O3晶胞参数、晶粒度等的影响。结果表明,Cu掺杂α-Fe2O3仍为刚玉型结构,但晶胞参数a、b、c表现出增大趋势;Cu掺杂使α-Fe2O3晶体结构产生替位杂质缺陷,增大了α-Fe2O3的晶核生长活化能,使其晶粒度减小;随着Cu掺杂量的增大,α-Fe2O3的晶核生长活化能逐渐增大,晶粒度逐渐减小。该研究为α-Fe2O3半导体材料的性能及应用研究提供了指导。
- 刘海峰彭同江孙红娟马国华
- 关键词：Α-FE2O3掺杂晶胞参数
- 均匀共沉淀法制备掺锡α-Fe_2O_3粉体及其气敏性能研究被引量：4
- 2007年
- 采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3.H2O为主要原料,控制不同的Fe3+浓度、Sn4+:Fe3+、溶液pH值及烧结温度,利用均匀共沉淀法制备了掺锡α-Fe2O3粉体,并用厚膜工艺将粉体涂于云母基片上制成了高灵敏度甲烷气敏元件.利用XRD对粉体成分及结构分析后发现,部分Sn4+以类质同象的方式代替了α-Fe2O3晶格中的Fe3+,改变了α-Fe2O3的晶胞参数;通过测试元件在不同温度下对800×10-6甲烷的气敏性能,结果表明,掺锡提高了α-Fe2O3的气敏性,且得到了制备掺锡α-Fe2O3甲烷气敏材料的最佳参数.
- 刘海峰孙红娟彭同江贾锐军
- 关键词：气敏材料甲烷
- (Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜的制备及半导体性能
- 2009年
- 为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。
- 刘海峰彭同江贾锐军孙红娟马国华
- 关键词：半导体功能材料
