山西省回国留学人员科研经费资助项目(2008-37)
- 作品数：14 被引量：44H指数：4
- 相关作者：赵君芙梁建马淑芳许并社黄平更多>>
- 相关机构：太原理工大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- CdSe薄膜的制备及性能表征被引量：18
- 2011年
- 室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。
- 黄平李婧梁建赵君芙马淑芳许并社
- 关键词：电化学沉积CDSE薄膜禁带宽度沉积电压
- InAs纳米颗粒的制备及性能表征被引量：2
- 2010年
- 以InCl3.4H2O、KBH4、As2O3和三乙醇胺为原料,采用溶剂热-退火法制备出了InAs纳米颗粒。用XRD、TEM和拉曼光谱仪对产物的微观结构进行表征。研究了反应物的配比和退火温度对产物的物相和形貌的影响,得到制备InAs纳米颗粒的最佳工艺参数为:反应物As2O3、InCl3.4H2O的物质的量配比为1:1,反应与退火温度分别为160℃和500℃。并对产物的形成过程进行了初步探讨。
- 梁建王玉赵君芙马淑芳
- 关键词：三乙醇胺
- 复合脉冲电沉积制备GaAs薄膜
- 复合脉冲电镀沉积法是近年来新兴的复合材料电沉积技术。本研究以Ga与As2O3为镓源与砷源,铂片为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,采用复合脉冲电沉积法在SnO2导电玻璃衬底上制备得到GaAs薄膜。利用高分辨X射线衍射仪（H...
- 刘晶章海霞赵君芙马淑芳梁建许并社
- 关键词：电沉积砷化镓
- 文献传递
- 不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展
- GaN是一种宽带隙直接跃迁半导体,具有高热导率,高的热稳定性,高的击穿电压,介电常数小,发光效率高等优势,因此,近年来GaN薄膜的发展非常迅速,GaN在半导体领域有着重要地位,而高质量GaN薄膜的掺杂制备一直是研究者关注...
- 尚林赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：GAN薄膜掺杂发光性能
- 文献传递
- 白光LED用红色荧光粉制备与性能的研究进展
- 荧光粉作为白光LED的配套材料,其性能优劣直接影响到白光LED的发光效率、亮度以及显色性等。目前白光LED显色指数偏低,色温偏冷主要是由于荧光粉中缺少红光成分。Eu3+、Sm3+是最常用的红色荧光粉的发光中心,传统红色荧...
- 郭颂刘红利赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：白光LED红色荧光粉共掺杂
- 文献传递
- 不同金属催化剂对GaN形貌及其性能影响的研究进展
- GaN纳米材料在蓝光发光二极管等方面显示出了极大的发展潜力,因此低成本、高性能的GaN纳米材料的制备已成为科学研究者倍受关注的热点之一。众多研究发现在制备过程中,采用不同催化剂对生成GaN的形貌及其性能有着显著的影响,筛...
- 朱琳赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：金属催化剂GAN纳米材料
- 文献传递
- 阳极氧化铝模板的制备及其在纳米材料领域的应用进展被引量：4
- 2010年
- 概括了传统阳极氧化铝(AAO)模板及几种新型AAO模板的制备工艺,并总结了AAO模板在纳米材料领域的应用进展。
- 李婧梁建赵君芙黄平李慧
- 关键词：阳极氧化铝模板阳极氧化有序度纳米材料
- Zn掺杂之字形GaN纳米管的制备及性能表征
- 分别以氧化镓、氧化锌和氨气作为镓源、锌源和氮源,通过化学气相沉积法在喷金的Si（100）衬底上生长Zn掺杂之字形GaN纳米管。以场发射扫描电镜（FESEM）、X-射线衍射仪（XRD）、光致发光仪（PL）等测试方法对其成分...
- 王晓宁梁建赵君芙张华马淑芳许并社
- 关键词：氮化镓纳米管
- 文献传递
- 水热法合成氧化锌纳米棒及其表面改性的研究
- 以ITO导电玻璃作为衬底,采用水热法制备出了氧化锌纳米棒阵列,研究了反应温度、反应时间及反应物浓度等实验条件对其微观结构与表面形貌的影响。利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对样品进行了分析测试,结果表明:...
- 安峰贾伟赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：水热法氧化锌纳米棒阵列
- 文献传递
- GaN薄膜制备技术的研究进展被引量：2
- 2010年
- 综述了近年来国内外GaN薄膜制备技术的研究进展,并重点介绍了其发展历程、所使用的设备和技术、各自的优缺点及应用前景。通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN薄膜技术的发展前景。
- 赵丹梁建赵君芙马淑芳张华许并社
- 关键词：GAN薄膜
