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山西省回国留学人员科研经费资助项目(2008-37)

作品数:14 被引量:44H指数:4
相关作者:赵君芙梁建马淑芳许并社黄平更多>>
相关机构:太原理工大学更多>>
发文基金:山西省回国留学人员科研经费资助项目山西省自然科学基金山西省高等学校科技开发基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 13篇一般工业技术
  • 8篇理学
  • 4篇化学工程
  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇纳米
  • 4篇GAN薄膜
  • 3篇形貌
  • 3篇溶剂
  • 3篇溶剂热
  • 3篇热法
  • 3篇纳米材料
  • 3篇纳米线
  • 3篇发光
  • 2篇氧化亚铜
  • 2篇乙醇胺
  • 2篇制备及性能
  • 2篇溶剂热法
  • 2篇溶剂热法制备
  • 2篇三甲基
  • 2篇三甲基溴化铵
  • 2篇三乙醇胺
  • 2篇砷化镓
  • 2篇十六烷基三甲...
  • 2篇溴化

机构

  • 23篇太原理工大学

作者

  • 16篇梁建
  • 16篇赵君芙
  • 9篇马淑芳
  • 7篇许并社
  • 4篇赵丹
  • 3篇黄平
  • 3篇李婧
  • 3篇赵国英
  • 3篇贾伟
  • 3篇李天保
  • 2篇危兆玲
  • 2篇章海霞
  • 2篇邵桂雪
  • 2篇董海亮
  • 2篇张华
  • 1篇刘海瑞
  • 1篇王晓斌
  • 1篇孙晓霞
  • 1篇尚林
  • 1篇安峰

传媒

  • 4篇功能材料
  • 4篇材料导报
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇2011中国...
  • 1篇化学与生物工...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 17篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CdSe薄膜的制备及性能表征被引量:18
2011年
室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。
黄平李婧梁建赵君芙马淑芳许并社
关键词:电化学沉积CDSE薄膜禁带宽度沉积电压
InAs纳米颗粒的制备及性能表征被引量:2
2010年
以InCl3.4H2O、KBH4、As2O3和三乙醇胺为原料,采用溶剂热-退火法制备出了InAs纳米颗粒。用XRD、TEM和拉曼光谱仪对产物的微观结构进行表征。研究了反应物的配比和退火温度对产物的物相和形貌的影响,得到制备InAs纳米颗粒的最佳工艺参数为:反应物As2O3、InCl3.4H2O的物质的量配比为1:1,反应与退火温度分别为160℃和500℃。并对产物的形成过程进行了初步探讨。
梁建王玉赵君芙马淑芳
关键词:三乙醇胺
复合脉冲电沉积制备GaAs薄膜
复合脉冲电镀沉积法是近年来新兴的复合材料电沉积技术。本研究以Ga与As2O3为镓源与砷源,铂片为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,采用复合脉冲电沉积法在SnO2导电玻璃衬底上制备得到GaAs薄膜。利用高分辨X射线衍射仪(H...
刘晶章海霞赵君芙马淑芳梁建许并社
关键词:电沉积砷化镓
不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展
GaN是一种宽带隙直接跃迁半导体,具有高热导率,高的热稳定性,高的击穿电压,介电常数小,发光效率高等优势,因此,近年来GaN薄膜的发展非常迅速,GaN在半导体领域有着重要地位,而高质量GaN薄膜的掺杂制备一直是研究者关注...
尚林赵君芙张华梁建许并社
关键词:GAN薄膜掺杂发光性能
白光LED用红色荧光粉制备与性能的研究进展
荧光粉作为白光LED的配套材料,其性能优劣直接影响到白光LED的发光效率、亮度以及显色性等。目前白光LED显色指数偏低,色温偏冷主要是由于荧光粉中缺少红光成分。Eu3+、Sm3+是最常用的红色荧光粉的发光中心,传统红色荧...
郭颂刘红利赵君芙张华梁建许并社
关键词:白光LED红色荧光粉共掺杂
不同金属催化剂对GaN形貌及其性能影响的研究进展
GaN纳米材料在蓝光发光二极管等方面显示出了极大的发展潜力,因此低成本、高性能的GaN纳米材料的制备已成为科学研究者倍受关注的热点之一。众多研究发现在制备过程中,采用不同催化剂对生成GaN的形貌及其性能有着显著的影响,筛...
朱琳赵君芙张华梁建许并社
关键词:金属催化剂GAN纳米材料
采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
2011年
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。
赵君芙赵丹梁建马淑芳许并社
关键词:半导体CVD法
ZnO纳米结构的CVD制备工艺及其应用被引量:2
2011年
纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能,已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一。不同纳米结构的ZnO其制备方法不同,着重概述了采用化学气相沉积(CVD)工艺制备ZnO纳米材料,包括直接热分解、高温加热锌粉、碳热还原法以及金属有机气相沉积(MOCVD)4种方法,重点讨论了不同锌源和氧源对ZnO纳米结构的影响规律,并初步探讨了ZnO的VLS与VS生长机理,同时展望了ZnO在各领域中的最新应用。
孟华梁建赵君芙赵国英
关键词:ZNO纳米结构CVD法
PbX(X=S,Se)纳米结构材料的制备方法被引量:1
2010年
PbX(X=S,Se)纳米结构材料因其良好的光电性能,在太阳能电池等方面有着较好的应用前景,目前已成为半导体领域的研究热点。概括和总结了几种制备PbX纳米材料的经典和新型方法,其中包括水热法、溶剂热法、化学气相沉积法、中孔材料模板法、熔盐籽晶法、纳米晶的取向附属物法和微波法等,并分析和讨论了各方法的特点及对应产物的特征。
危兆玲李天保赵君芙梁建马淑芳许并社
关键词:PBSPBSE
不同醇对溶剂热法制备氧化亚铜形貌的影响被引量:5
2010年
以乙酸铜、三乙醇胺和醇为原料,采用溶剂热法制备出了不同形貌的微米氧化亚铜颗粒。通过SEM和XRD对所制备产物的形貌和物相进行分析表征,结果表明,在适当的反应温度下,不同醇类作还原剂均可生成球形氧化亚铜微晶,但随着醇羟基数量的增加,球形氧化亚铜微晶的反应生成温度逐渐降低。同时,对醇在形成氧化亚铜微晶的反应过程中所起的作用进行了初步探讨。
梁建董海亮赵君芙黄平马淑芳
关键词:氧化亚铜溶剂热法自由基
共3页<123>
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