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国家自然科学基金(50572094)

作品数：2 被引量：6H指数：1
相关作者：杨德仁徐进李福龙曾俞衡阙端麟更多>>
相关机构：浙江大学厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划更多>>
相关领域：理学电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电池
  • 1篇电镜
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇射电
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透射电镜
  • 1篇硅单晶
  • 1篇GETTER...
  • 1篇INTERN...

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 2篇杨德仁
  • 1篇汪雷
  • 1篇孙振华
  • 1篇李晓强
  • 1篇李福龙
  • 1篇朱鑫
  • 1篇阙端麟
  • 1篇曾俞衡
  • 1篇徐进

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
烧结工艺对薄片单晶硅太阳电池弯曲的影响被引量：1
2009年
通过在快速热处理(Rapid Thermal Processor,RTP)炉中模拟铝背烧结过程,研究了升温速率、烧结温度和降温速率等烧结工艺参数对薄片单晶硅太阳电池弯曲的影响。结果显示,增加铝熔化前和减少铝熔化后的处理时间、加快降温以及降低烧结温度都能减小电池片弯曲。这主要是由于这些烧结工艺参数影响了铝层的致密度和降温过程中AlSi熔体的过冷所致。在此基础上得出了减小电池片弯曲的合理烧结工艺。
孙振华杨德仁朱鑫汪雷李晓强曾俞衡阙端麟
关键词：单晶硅太阳电池
直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究被引量：5
2007年
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀.初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.
徐进李福龙杨德仁
关键词：直拉硅透射电镜氧沉淀
Impurity effect on internal gettering in Czochralski silicon
With the rapid reduction in feature size of ultra large scaled integrate(ULSI) circuits,the microdefects in Cz...
Jiahe ChenDeren YangXiangyang MaDuanlin Que
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