国家高技术研究发展计划(2006AA03Z217)
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 相关作者：孙国忠何青杨亮敖建平康峰更多>>
- 相关机构：南开大学大连交通大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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- 一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性被引量：9
- 2008年
- 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹.
- 敖建平孙国忠闫礼康峰杨亮何青周志强李凤岩孙云
- 关键词：电沉积循环伏安法
