中国科学院知识创新工程(0714061A01)
- 作品数：2 被引量：40H指数：2
- 相关作者：吕海峰唐鑫张庆瑜赵纪军马春雨更多>>
- 相关机构：大连理工大学中国科学院更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质被引量：18
- 2010年
- 采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向,无Cu及其氧化物相关相析出,掺杂对晶格参数的影响较小,与理论计算结果一致。Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性,其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小,带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性。Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率,具有明显的发光猝灭作用,但并不影响光致发光的发光峰位。说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关,这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的。
- 曲盛薇唐鑫吕海峰刘明张庆瑜
- 关键词：磁控溅射密度泛函理论光学性质
- Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究被引量：22
- 2008年
- 采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be2s电子与Zn4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶(VBM)始终由O2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.
- 唐鑫吕海峰马春雨赵纪军张庆瑜
- 关键词：密度泛函理论电子结构
