公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

ZnGeP_2晶体点缺陷的研究进展被引量：2: 2008年; ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V_(Zn)^-及施主缺陷V_P^0和Ge_(Zn)^+,其相应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)^-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(V_P^0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge_(Zn)^+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V_(Ge)^(3-)和V_P^0其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.; 朱崇强杨春晖王猛夏士兴马天慧吕维强; 关键词：电子顺磁共振密度泛函理论

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(50572018)