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Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：33: 2008年; 基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法,计算了Al,Mg掺杂的闪锌矿型GaN的电子结构和光学性质,分析了其电子态分布与结构的关系,给出了掺杂前后GaN体系的介电函数和复折射率函数.计算结果表明掺有Mg的GaN晶体空穴浓度增大,会明显提高材料的电导率,而Al掺杂GaN晶体的载流子浓度不变,只是光学带隙变宽;通过分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据.通过比较可知,所得出的计算结果与现有文献符合得很好.; 郭建云郑广何开华陈敬中; 关键词：电子结构光学性质掺杂

双氮原子掺入二氧化钛电子结构的第一原理研究被引量：4: 2010年; 采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法计算研究了双N原子掺入金红石相TiO_2的几何结构和电子结构.通过比较三种可能的掺杂方式的总能发现,两个氮原子占据两个相邻的B原子位置时具有最稳定的结构.电子结构分析表明,双N原子掺杂TiO_2出现了杂质能级,三种结构的能带间隙均减小,其中杂质原子最近邻占位时,带隙最小,随着两个杂质原子的距离增大,带隙会逐渐变大.; 曾中良郑广何开华陈琦丽喻力; 关键词：N掺杂第一性原理

ZnS掺Mn^(2+)电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：10: 2009年; 在广义梯度近似下,利用平面波赝势对ZnS(闪锌矿,F-43m)和Mn^(2+)掺杂的ZnS超晶胞的电子态密度、原子间电子云重叠布局数和光学性质等进行了自恰计算.自旋极化的计算结果显示,掺入Mn^(2+)离子后态密度整体向低能方向移动,在禁带中出现了由Mn 3d、Zn3d与S 3p组成的新态.电子云重叠布局分析了掺杂前后价键性质的变化,解释了磁性离子Mn^(2+)导致Zn和S出现不对称的自旋向上和自旋向下态的机理.复介电系数谱图向高能方向迁移,并且在0到2.7 eV范围内出现一个新的尖峰,利用晶体场理论和态密度,对改介电峰进行了指认,为研究此类材料光学性质提供了一定理论依据.; 万淼郑广何开华洪汉烈陈琦丽; 关键词：超晶胞电子结构光学性质

过渡金属掺杂SnO_2的电子结构与磁性被引量：20: 2010年; 采用密度泛函理论及赝势平面波方法,对未掺杂SnO2以及过渡金属V、Cr、Mn掺杂SnO2的超原胞体系进行了几何优化,计算了晶格常数、电子结构与磁学性质.结果表明,6.25%与12.5%两种掺杂浓度时,体系的电子自旋和磁学性质没有发生很大的变化;相对于未掺杂SnO2,过渡金属掺杂后SnO2中O原子有向过渡金属移动的趋势,并使得O与掺杂金属之间键长变短;在V和Cr掺杂后,SnO2具有半金属性质,而Mn掺杂SnO2没有发现上述性质.6.25%与12.5%的杂质浓度对自旋和磁矩影响不大,掺杂产生的磁矩主要来自于过渡金属3d电子态,且磁矩的大小与过渡金属的电子排布有关.V、Cr、Mn掺杂SnO2后的总磁矩分别为0.94μB、2.02μB、3.00μB.磁矩主要来源于过渡金属3d轨道的自旋极化,当O原子出现负磁矩的时候,还有很小一部分磁矩来源于临近过渡金属的Sn原子.; 喻力郑广何开华曾中良陈琦丽王清波; 关键词：密度泛函理论 SNO2 过渡金属掺杂磁性

高压下氧化镉弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：3: 2007年; 运用基于密度泛函理论的平面波赝势方法(PWP),计算研究了氧化镉NaCl结构(B1结构)和CsCl结构(B2结构)在不同压力条件下的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质。交换关联能分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)。通过比较计算和实验得到的晶格常数和体模量不难发现,LDA的计算结果更符合实验值。在高压的作用下,两种结构的导带能级有向高能级移动的趋势,而价带能级有向低能级移动的趋势,因此直接带隙变大。同时,对照态密度分布图及高压下能级的移动情况,分析了CdO两种结构在高压作用下的光学性质。; 何开华郑广陈刚吕涛万淼向东姬广富; 关键词：氧化镉电子结构

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湖北省杰出青年人才基金(2006ABB031)