江苏省高校科研成果产业化推进项目(JH10-X048)
- 作品数：10 被引量：31H指数：4
- 相关作者：周海卓志国臧跃徐晓明刘道标更多>>
- 相关机构：盐城工学院江苏大学常州大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校科研成果产业化推进项目江苏省自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金更多>>
- 相关领域：机械工程金属学及工艺电子电信更多>>
- 蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤双片式角度抛光法检测被引量：6
- 2014年
- 针对传统角度抛光法检测的不足,提出将双片式角度抛光法用于蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤层深度的检测。双片式角度抛光法采用双晶片重合黏结的实验晶片组测量抛光斜面腐蚀裂纹,避免了传统角度抛光法因抛光斜面和原晶片平面分界边缘难以辨别而造成的测量误差;使用数显测长仪对实验晶片组抛光斜面加工轮廓进行测量,测量结果代入相应计算公式得出准确的斜面倾角,消除角度取值不准确带来的方法误差,提高了测量精度。经检测得到,单晶面抛光斜面平均裂纹宽度约为175μm、平均斜面倾角为4.91°,双面研磨单晶面亚表面损伤层深度约为15μm,双晶面亚表面损伤层深度约为30μm。双面研磨工艺参数:研磨液采用320#碳化硼磨粒煤油溶液,研磨初始压力为30g/cm2,研磨终止压力为110g/cm2,研磨盘转速为13r/min。
- 徐晓明刘道标周海卓志国臧跃
- 关键词：蓝宝石双面研磨
- 基于UG的蓝宝石衬底基片双面研磨轨迹研究被引量：1
- 2012年
- 通过数学理论建模与UG建模,建立了蓝宝石衬底基片双面研磨的运动模型并获得了在三种传动比情况下行星齿轮上不同点的轨迹。通过分析研磨轨迹和研磨速度可知在传动比为1时行星齿轮各点的轨迹为均匀分布的圆形且速度相等,所有点的运动周期相等而且比其它情况下的周期短,有利于提高研磨效率和形状精度,结果成功地解决了由于行星齿轮内的衬底基片各点处速度不一样而导致的平面度差的问题和行星齿轮中心不能放置蓝宝石衬底基片的问题。
- 白立刚周海王鹏章超
- 蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤分布研究被引量：6
- 2014年
- 在前人对硬脆性材料亚表面损伤预测理论研究的基础上,建立了蓝宝石衬底双面研磨亚表面损伤层深度与表面划痕深度之间的理论模型（DNR）。通过对双面研磨后的衬底晶片进行KOH轻度化学腐蚀并结合VK-X100/X200形状测量激光显微系统,得到了晶片表面划痕随深度的分布情况,进而得出了晶片亚表面损伤层随深度的分布情况。研究表明：亚表面损伤层随深度变化的分布规律为随着深度的增大呈递减趋势,集中分布在距离外层碎裂及划痕破坏层下方0～12.9μm深度范围内,所占比例达96.7%左右。研究结果有利于优化双面研磨工艺参数来控制亚表面损伤层的深度。
- 刘道标徐晓明周海卓志国臧跃高翔
- 关键词：蓝宝石衬底双面研磨划痕化学腐蚀
- LED用蓝宝石衬底抛光技术进展被引量：13
- 2013年
- 蓝宝石单晶衬底具有优秀的物理化学性质,作为LED的主要衬底材料,其晶片表面质量要求非常高,而加工工艺在很大程度上决定了表面质量。对蓝宝石衬底加工的各种工艺原理作简要介绍,如化学机械抛光、磁流变抛光、浮法抛光等,指出这些加工方法的优缺点、发展进程等。目前蓝宝石衬底的抛光质量已经达到:表面粗糙度0.1nm,平面度0.5μm。随着生产工艺的不断进步,数字化、全自动、绿色无污染的抛光工艺是未来蓝宝石衬底加工的发展方向。
- 卓志国周海徐晓明臧跃
- 关键词：蓝宝石衬底抛光工艺化学机械抛光
- 基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工被引量：2
- 2013年
- 本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工,对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化。通过选择适当的加工参数,使工件处于摆线中间的环带部分,将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率。实验表明:采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后,可以获得Ra为0.579μm;材料去除率达到1.53μm/min。
- 臧跃周海徐晓明卓志国
- 关键词：碳化硅衬底均匀性材料去除率
- LED用蓝宝石衬底抛光后湿法清洗研究被引量：1
- 2014年
- LED被认为是下一代主要照明工具,其以高质量的衬底基片外延GaN层,目前主要用化学机械抛光后的蓝宝石晶片作为衬底,但抛光后的衬底表面布满杂质,这些杂质会导致外延层缺陷,降低发光率甚至使器件失效。探讨了在蓝宝石衬底清洗过程中,HF、表面活性剂、氧化剂的作用。得出HF溶液对衬底表面的SiO2颗粒有很好的清除效果,不会造成蓝宝石衬底表面质量恶化,表面活性剂可以形成覆盖层降低衬底表面能,同时防止被去除杂质的再次附着,强氧化剂可以腐蚀衬底表面去除附着力较强的颗粒。在试验中通过不同清洗顺序发现表面活性剂形成的覆盖层也会对杂质产生保护作用。在使用表面活性剂后再使用HF溶液清洗,衬底表面颗粒数从18降为10,但表面存在腐蚀坑样的污染,在以表面活性剂、浓硫酸、HF溶液的清洗顺序清洗后发现表面颗粒数从20降至8,没有腐蚀坑样的污染存在,因此采用表面活性剂、浓硫酸、HF溶液的清洗顺序可以得到好的效果。
- 卓志国周海施建国冯欢
- 关键词：HF氧化剂表面活性剂湿法清洗蓝宝石衬底
- 蓝宝石衬底基片工艺质量检测指标及方法的研究进展被引量：3
- 2013年
- 根据蓝宝石衬底基片国家标准和国际质量保证体系标准,结合目前蓝宝石衬底基片生产和科研的实际情况,阐述了目前蓝宝石衬底基片生长、掏棒切片、研磨抛光和清洗加工过程中的质量检测指标、检测方法,以及检测设备。指出了蓝宝石衬底基片检测技术的研究对衬底基片生产的重要性。总结了蓝宝石衬底基片检测技术的现状,半导体材料GaN衬底用蓝宝石单晶的纯度要达到99.999%以上,位错密度在102/cm2范围内,晶片切片厚度偏差不超过20μm,表面粗糙度要达到Ra0.3nm水平。指出了现有检测技术的不足和今后的发展趋势,对蓝宝石衬底检测技术的进一步发展具有引导性的作用。
- 徐晓明周海卓志国臧跃
- 关键词：蓝宝石衬底
- LED用SiC衬底的超精密研磨技术现状与发展趋势
- 2013年
- 介简单地介绍了发光二极管的发展历程,概述了LED用SiC衬底的超精密研磨技术的最新现状及发展趋势,阐述了研磨技术的原理、应用和优势。同时结合实验室X61 930B2M-6型研磨机,分析了加工工艺参数对研磨表面质量的影响,介绍了当前SiC衬底加工达到的精度水平,即SiC衬底表面粗糙度小于50nm,平面度和翘曲度均小于5,并提出了研磨加工将会向高精度、高效率的方向发展。SiC作为外延的最佳衬底,必将成为研究热点,未来SiC会向大尺寸、更低缺陷水平方向发展。
- 臧跃周海徐晓明卓志国
- 关键词：SIC衬底研磨粗糙度
- 蓝宝石衬底化学机械抛光中材料去除特性的研究被引量：5
- 2014年
- 衬底基片的化学机械抛光(CMP)同时兼顾材料去除率及衬底表面质量,在抛光过程中,化学作用与机械作用相辅相成同时参与抛光,化学作用与机械作用的平衡对能否得到满意的衬底表面有重要有意义。针对蓝宝石衬底基片的CMP材料去除率进行了研究,分析了材料去除机理。使用单因素实验法测得:压力的增加会导致材料去除率的增加,但当压力增加到某一点后,材料去除率的增加反而减缓,与此同时衬底基片表面粗糙度达到最小。这一点附近的抛光参数可以达到机械与化学作用的平衡。在实验中,当抛光压力为6kg时材料去除率达到80nm/min,表面粗糙度达到0.2nm。
- 高翔周海黄传锦冯欢崔志翔
- 关键词：蓝宝石衬底CMP材料去除率
- 基于Fluent的化学机械抛光的流场数值模拟
- 2013年
- 建立化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)的润滑流场三维模型,使用商用CFD软件Fluent对其流场进行数值模拟,可以看出CMP润滑流场的速度分布对晶片表面抛光有重要影响。通过对照数值模拟结果和理论值,表明使用Fluent仿真CMP的流场是合理可行的,为优化机械抛光的材料去除率和表面平整度提供理论支持。
- 黄传锦周海
- 关键词：机械抛光CMPFLUENT数值模拟
