国家自然科学基金(10734020)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 氢化非晶氮化硅薄膜光学性质调控及应用
- 近年来发现含有纳米硅量子点(Si QDs)的氢化非晶氮化硅(a-SiN_x:H)薄膜具有较低的势垒(~2.0 eV)和较强的室温可见发光,是硅基发光器件的良好候选材料:同时a-Si_x:H薄膜已被广泛应用于制备单晶硅和多...
- 沈文忠
- 半导体氮化物AlInN的光学性质
- 2011年
- 测量了AlInN薄膜(包括InN和AlN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数.发现带隙以下,AlN薄膜的折射率遵守Sellmeier经验公式.用基于态密度和载流子—声子相互作用的带尾态理论,很好地解释了AlInN薄膜中带尾态现象.通过测量显微拉曼光谱,研究了AlInN薄膜的晶格振动性质.运用详细的模型(考虑了晶格热膨胀、残余应力和多声子耦合),阐释了AlInN声子频率的变温特性.了解AlInN薄膜的这些光学性质是相当重要的,不仅有利于透彻了解材料的基本性质还有利于相关光电子器件的开发.
- 蒋立峰沈文忠郭其新
- 关键词：光学性质
- P型半导体氧化锌薄膜的Raman光谱研究被引量：2
- 2009年
- 本文主要对超声喷雾热解方法生长在本征Si衬底上的N-In共掺的p型ZnO薄膜的Raman光谱进行了研究。通过洛仑兹(Lorentz)模型和等离子激元与纵光学声子耦合模理论模型拟合不同浓度下的室温Raman光谱,我们对样品的Raman峰进行了指认;同时也得到了样品的空穴浓度和迁移率,结果和霍耳测量得到的空穴浓度和迁移率符合的较好,证明了霍耳测量p型ZnO薄膜得到的电学参数是可信的。随后我们又对不同浓度的p型ZnO薄膜的变温Raman光谱进行研究,运用一个详细的模型(考虑了晶格热膨胀、残余应力、和三声子、四声子衰变)描述不同浓度下各个样品Raman光谱中的等离子激元与纵光学声子耦合模随温度变化的情况。分析拟合参数,可以清楚地了解随着浓度的增加耦合模参数随温度的衰变行为。
- 孔晋芳沈文忠
- 关键词：P型ZNO薄膜RAMAN光谱耦合模态密度
- 基于氧化铝模板的有序ZnO纳米棒的合成及光学特性研究
- 2009年
- 利用高度有序的多孔氧化铝膜作为模板,使用简单的热蒸发Zn粉的方法,成功地制备出高度有序的ZnO纳米棒束,该方法克服了制备有序纳米结构通常需要的催化剂或复杂的合成过程。利用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射研究了样品的形貌及其结构特性,其结果表明模板表面所制备的ZnO纳米棒具有更好的有序度和结晶质量,从而推断出模板表面有序ZnO纳米棒的形成应该同模板表面局域化负电荷的存在有关。同Si基片上所形成无序纳米棒的光致发光谱相比,模板表面所形成的有序ZnO纳米棒束具有更强的紫外峰,表明有序的ZnO纳米棒具有更好的结晶质量和光学特性。
- 蒋震宗范东华许丹华朱雨富沈文忠
- 关键词：热蒸发ZNO纳米棒光致发光
