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国家高技术研究发展计划(2011AA010204)

作品数:13 被引量:50H指数:4
相关作者:陈智荆玉兰文岐业杨青慧张怀武更多>>
相关机构:电子科技大学南京大学中国科学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇太赫兹
  • 4篇赫兹
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体激元
  • 2篇相变
  • 2篇滤波器
  • 2篇二氧化钒
  • 2篇表面等离子体
  • 2篇表面等离子体...
  • 2篇超导
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇单光子
  • 1篇电子束
  • 1篇电子束激励
  • 1篇电子注
  • 1篇调谐
  • 1篇多光子
  • 1篇性能研究

机构

  • 6篇电子科技大学
  • 2篇南京大学
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇中国科学院国...

作者

  • 3篇杨青慧
  • 3篇文岐业
  • 3篇荆玉兰
  • 3篇陈智
  • 2篇张怀武
  • 1篇刘盛纲
  • 1篇龚森
  • 1篇秦华
  • 1篇邱东鸿
  • 1篇顾敏
  • 1篇高喜
  • 1篇兰峰
  • 1篇周渝
  • 1篇王晓艳
  • 1篇金飚兵
  • 1篇郭旭光
  • 1篇李胜
  • 1篇邱健
  • 1篇张开春
  • 1篇亓丽梅

传媒

  • 5篇物理学报
  • 2篇Chines...
  • 1篇物理
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Polarization insensitivity in square split-ring resonators with asymmetrical arm widths被引量:1
2015年
A polarization-insensitive, square split-ring resonator(SSRR) is simulated and experimented. By investigating the influence of the asymmetrical arm width in typical SSRRs, we find that the variation of the arm width enables a blue shift of the resonance frequency for the 0° polarized wave and a red shift of the resonance frequency for the 90° polarized wave. Thus, the resonance frequency for the 0° polarized wave and the resonance frequency for the 90° polarized wave will be identical by asymmetrically adjusting the arm width of the SSRR. Two modified, split-ring resonators(MSRRs) that are insensitive to the polarization with asymmetrical arm widths are designed, fabricated, and tested. Excellent agreement between the simulations and experiments for the MSRRs demonstrates the polarization insensitivity with asymmetrical arm widths. This work opens new opportunities for the investigation of polarization-insensitive, split-ring resonator metamaterials and will broaden the applications of split-ring resonators in various terahertz devices.
吴倩男兰峰张雅鑫曾泓鑫杨梓强高喜
关键词:偏振不敏感开口环极化波
Coherent and tunable radiation with power enhancement from surface plasmon polaritons被引量:2
2015年
Surface plasmon polaritons excited by an electron beam can be transformed into coherent and tunable light radiation waves with power enhancement in the simple structure of a metal film with a dielectric medium loading. In this paper, the process of the radiation transformation of this radiation, and the dependencies of the radiation characteristics on the parameters of the structure and the electron beam are studied in detail. The radiation power enhancement is greatly influenced by the beam energy and the film thickness in the infrared to ultraviolet frequency region. Up to 122 times radiation power enhancement and 6.5% radiation frequency tuning band can be obtained by optimizing the beam energy and the parameters of the film.
龚森钟任斌胡旻陈晓行张平赵陶刘盛纲
关键词:表面等离子体激元电子束激励辐射功率紫外波段介质加载
金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究被引量:4
2013年
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结构、微观形貌和绝缘体—金属相变(MIT)性能的影响.结果表明厚度0.2μm以上的SiO2缓冲层能够有效消除VO2薄膜与金属薄膜之间的巨大应力,制备出具有明显相变特性的VO2薄膜.当缓冲层达到0.7μm以上,获得的薄膜具有明显的(011)晶面择优取向,表面平整致密,相变前后电阻率变化达到3个数量级以上.基于该技术制备了Pt-SiO2/VO2-Au三明治结构,通过在垂直膜面方向施加很小的驱动电压,观察到明显的阶梯电流跳跃,证实实现了电致绝缘体—金属相变过程.该薄膜制备工艺简单,性能稳定,器件结构灵活可应用于集成式电控功能器件.
邱东鸿文岐业杨青慧陈智荆玉兰张怀武
关键词:二氧化钒薄膜相变特性阈值电压
基于圆台结构的超宽带极化不敏感太赫兹吸收器被引量:12
2013年
本文提出一种基于圆台形吸收单元的超宽带、极化不敏感的超材料太赫兹吸收器.该超材料吸收器采用金属薄膜金和介质层二氧化硅交替叠加的多层结构.采用商业软件CST Studio Suite 2009时域求解器计算了其在0—10 THz波段内的吸收率A(ω),在2—10 THz之间实现了对入射太赫兹波的超宽频带强吸收.仿真结果表明,由于其圆台形单元结构,在器件垂直方向上形成一系列不同尺寸的微型吸收器,产生了吸收频点相连的多频吸收峰.利用不同吸收峰的耦合叠加效应,获得超过8 THz的超宽带太赫兹波吸收,吸收强度达到92.3%以上.这一结构具有超宽带强吸收,360极化不敏感以及易于加工等优越特性,因而在太赫兹波探测器、光谱成像以及隐身技术方面具有潜在的应用.
莫漫漫文岐业陈智杨青慧李胜荆玉兰张怀武
关键词:太赫兹波超宽带
超导纳米线多光子响应特性研究被引量:5
2012年
研究了超导单光子探测器器件超导纳米线的多光子响应特性.在温度3.5 K实验测量了纳米线器件直流特性和比子响应概率对多光子脉冲信号的响应特性.实验表明,器件超导转变电流随光辐照强度的增加而减小;在多光子脉冲信号下,器件响应的光子数随偏置电流减小而增加.同时基于量子光学和器件Hotspot理论半定量分析了该多光子响应的机制.
周渝张蜡宝郏涛赵清源顾敏邱健康琳陈健吴培亨
关键词:单光子超导纳米线多光子
硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究被引量:13
2015年
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6°C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60°C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.
熊瑛文岐业田伟毛淇陈智杨青慧荆玉兰
关键词:二氧化钒硅基片氧化铝
电子注激励石墨烯表面等离子体激元的研究
2016年
对垂直与平行运动电子注激励石墨烯表面等离子体激元进行了详细分析与对比。理论分析与数值计算的结果表明,电子注垂直激励时,石墨烯表面等离子体激元包含丰富的频率分量,沿传播方向衰减,并伴随有度越辐射;平行激励时,其工作频率可通过调节电子注能量或石墨烯化学势进行调谐,且沿传播方向没有衰减,没有渡越辐射。优化电子注能量与石墨烯化学势等参数可使电子注激励的石墨烯表面等离子体激元具有最大功率。电流密度大于500 A/cm2的直流电子注可与石墨烯表面等离子体激元发生注波互作用,从而对其进行持续地激励并放大。
龚森胡旻钟任斌陈晓行张平赵陶刘盛纲
关键词:电子注石墨烯表面等离子体激元太赫兹频率调谐
基于频率选择表面的双层改进型互补结构太赫兹带通滤波器研究被引量:1
2014年
通过仿真计算和实验研究了一种基于频率选择表面的双层改进型互补结构太赫兹带通滤波器.对四裂缝互补型电感电容式谐振单元结构进行了改进,可以在提高滤波性能的同时增加单晶石英介质衬底的厚度.利用电磁仿真技术设计并加工了中心频率为0.28 THz的带通滤波器,并利用太赫兹时域光谱仪测试了在0.1—0.6 THz范围内此滤波器的传输频谱特性,实验结果与仿真结果基本一致.结果表明,利用双层改进型互补结构可以设计出对于入射角度不敏感、带外抑制佳、边带陡峭度大、能有效抑制寄生谐振的宽带太赫兹带通滤波器,并降低了加工难度.
兰峰高喜亓丽梅
关键词:频率选择表面传输特性
太赫兹检测技术被引量:11
2013年
太赫兹(terahertz,简称THz)检测技术是THz技术应用的一个关键环节,它涉及物理学、材料科学、半导体技术、光电子学和超导电子学,是一门综合性很强的技术。文章介绍了一些比较典型的THz检测技术的原理及其应用,特别是国内学者在这方面的工作。
金飚兵单文磊郭旭光秦华
Compact waveguide bandpass filter employing two-dimensional metallic photonic crystals for millimeter to terahertz frequencies被引量:4
2014年
Two-dimensional metallic photonic crystal slabs with square lattice are proposed to be used for the design of waveguide bandpass filters operating in millimeter to terahertz region.Filter characteristics are studied when rod radii and lattice constants are changed.Based on the frequency scaling technique,a series of higher frequency filters has been designed.By using laser drilling and welding processing techniques,a compact waveguide filter embedded in an EIA-WR10 waveguide with central frequency 145.5 GHz and3-dB bandwidth of 5.26 GHz is fabricated and measured.The measurement data agree well with the simulation prediction.
兰峰杨梓强亓丽梅史宗君
关键词:波导滤波器
共2页<12>
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