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教育部科学技术研究重点项目(207033)

作品数：42 被引量：137H指数：8
相关作者：李毅方宝英王晓华佟国香黄毅泽更多>>
相关机构：上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室上海电力学院更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家高技术研究发展计划上海市科委科技攻关项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 42篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 13篇一般工业技术
  • 10篇理学
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 15篇VO
  • 13篇VO2
  • 10篇二氧化钒
  • 9篇光学
  • 7篇热致变色
  • 7篇激光
  • 7篇激光器
  • 7篇半导体
  • 6篇相变
  • 6篇光纤
  • 6篇红外
  • 5篇光学特性
  • 5篇FTO
  • 4篇阈值电压
  • 4篇纳米
  • 4篇溅射
  • 4篇光电
  • 4篇光栅
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器

机构

  • 43篇上海理工大学
  • 33篇上海市现代光...
  • 15篇上海电力学院
  • 11篇五邑大学
  • 5篇上海健康医学...
  • 3篇上海电力大学

作者

  • 39篇李毅
  • 22篇方宝英
  • 19篇王晓华
  • 14篇佟国香
  • 13篇朱慧群
  • 13篇黄毅泽
  • 12篇肖寒
  • 10篇俞晓静
  • 8篇周晟
  • 8篇郑鸿柱
  • 8篇袁文瑞
  • 8篇陈建坤
  • 8篇王海方
  • 8篇陈少娟
  • 7篇孙若曦
  • 7篇张宇明
  • 7篇张伟
  • 7篇梁倩
  • 7篇严梦
  • 7篇丁杰

传媒

  • 7篇物理学报
  • 5篇光学学报
  • 4篇光子学报
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇激光与光电子...
  • 3篇红外与毫米波...
  • 3篇信息技术
  • 2篇光学技术
  • 2篇中国激光
  • 2篇光学仪器
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇半导体技术
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇软件导刊
  • 1篇2007年先...

年份

  • 2篇2021
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于CAN总线的STM32应用编程及实现被引量：13
2015年
针对CAN总线上节点模块的程序更新需求,研究了STM32从节点模块的应用编程(IAP)技术及设计方法。根据IAP技术的特点规划了STM32的Flash存储器分区,设计了用户Bootloader程序。另外采用Visual Studio C#设计了上位机用户界面程序,通过RS232转CAN接口实现了PC上位机与STM32节点模块的CAN通信。通过上位机和下位机的通信交互,论述了基于CAN总线的STM32节点模块应用编程技术及具体实现方法。
佟国香付礼刘欢
关键词：CAN总线STM32BOOTLOADER程序用户界面程序
W/VO_2方形纳米柱阵列可调中红外宽频吸收器被引量：8
2019年
基于VO_2的热致相变特性,仿真设计出了一种W/VO_2方形纳米柱阵列可调中红外宽频吸收器,通过时域有限差分法分析了结构参数对吸收性能和结构内电磁场强度分布的影响,以及吸收器在不同偏振态和入射角度下的吸收特性。结果表明:在最佳的结构参数下,当VO_2未发生相变时,入射到吸收器的红外光转变为热而消耗掉,在3～5μm谱段的平均吸收率高达96.2%;当VO_2发生相变而转变为金属相时,吸收器表现出强反射,抑制吸收,高低温下的平均吸收率差可达74.1%。该吸收器的吸收率受入射光的影响较小,具有广角吸收特性,有望在红外智能光电领域得到应用。
黄雅琴李毅李政鹏裴江恒田蓉刘进周建忠方宝英王晓华肖寒
关键词：时域有限差分宽波段VO2
基于热光效应的智能窗薄膜材料被引量：9
2007年
基于半导体和金属间的相变特性,重点介绍了基于热光效应的二氧化钒薄膜材料,描述了当前国内外的研究进展。给出了能应用于智能窗的纳米二氧化钒薄膜材料,并与常规的二氧化钒薄膜材料进行了分析比较。对这种智能窗薄膜材料的原理与应用前景进行了评述。可以预计,随着对太阳能材料的不断研究与开发,基于热光效应的智能窗薄膜材料在太阳能利用方面将具有巨大潜力。
蒋群杰李毅胡双双武斌俞晓静
关键词：二氧化钒热光效应太阳能智能窗
基于双光纤布拉格光栅的抽运激光器波长锁定器被引量：10
2008年
运用耦合模理论推导了双光纤布拉格光栅（FBG）的透射率和反射率的解析表达式，进一步推导出带双光纤布拉格光栅激光器的增益方程。利用相关表达式讨论双光纤布拉格光栅的反射特性与透射特性，并探究对激光器增益曲线的影响。双光纤布拉格光栅由结构和特性相同的单光纤布拉格光栅构成，通过优化两光纤布拉格光栅之间的距离得到最佳的锁模特性。在工作温度为0℃，20。C，70℃时，分别测量了带双光纤布拉格光栅和单光纤布拉格光栅波长锁定器的非致冷抽运激光器的输出光谱。其结果表明带双光纤布拉格光栅的非致冷抽运激光器输出光谱的稳定性得到了显著改善。在0～70℃温度范围内能稳定工作，波长漂移为0．2nm，边模抑制比达45dB，半峰值宽度小于1．57nm。
胡双双李毅蒋群杰武斌
关键词：激光器波长锁定器边模抑制比
钨钒共溅热致变色薄膜的制备及其红外光学性能被引量：3
2012年
为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索。先在室温条件下采用磁控共溅射的方法于玻璃基片上制备得到含钨量为1.4%的金属薄膜,再在空气中采用后退火工艺使金属薄膜充分氧化为热致变色薄膜。对薄膜样品的物理结构和光学性能进行了分析,发现钨钒共溅没有改变VO2薄膜在玻璃表面择优取向生长,但显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征。观察到钨钒共溅热致变色薄膜的相变温度较普通VO2薄膜从68℃降低至40℃,热滞回线温宽由6℃缩小为3℃,低温半导体相的红外透过率分别为62%和57%。结果表明,钨钒共溅可达到相变温度降低,热滞回线温宽变窄,掺杂前后红外透过率变化不大之目的。
周晟李毅朱慧群孙若曦张宇明黄毅泽李榴沈雨剪郑秋心佟国香方宝英
关键词：热致变色VO2薄膜相变
VO_2/FTO复合薄膜的制备及其光电特性研究
2016年
采用直流磁控溅射法在掺氟的SnO_2(FTO)导电玻璃衬底上沉积纯钒金属薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火制备VO_2/FTO复合热致变色薄膜,并对复合薄膜的结构、光学特性以及电学特性进行了测试分析。结果表明,薄膜结晶程度较高,表面平滑致密,具有很好的一致性,导电玻璃上的FTO并没有改变VO_2择优取向生长,但明显改变了VO_2薄膜的表面形貌特征。与VO_2薄膜的典型相变温度68℃相比,VO_2/FTO复合薄膜的相变温度降低约20℃,热滞回线收窄到5℃,相变前后的红外透过率分别为45%和22%,相变前后电阻率的变化达3个数量级,VO_2/FTO复合薄膜优良的光电特性对新型光电薄膜器件的设计开发和应用具有重要意义。
郑鸿柱李毅陈少娟陈建坤袁文瑞孙瑶唐佳茵刘飞郝如龙方宝英肖寒王晓华
关键词：VO2FTO热致变色光电特性
非制冷980nm半导体激光器封装设计与热特性分析被引量：6
2009年
针对非制冷980 nm半导体激光器组件的封装结构,对采用倒装贴片封装的激光器模块内部芯片外延层、热沉和焊料层进行了优化设计,运用有限元法(FEM)对微型双列直插(mini DIL)非制冷980 nm半导体激光器在连续波(CW)驱动条件下的热场分布进行了模拟计算。对比了倒装贴片和正装贴片的激光器热特性,并对实际封装的激光器光电性能进行了测试。倒装贴片型非制冷980 nm半导体激光器的输出光谱在0～70℃时中心波长漂移仅为0.2 nm,半峰全宽(FWHM)小于1.6 nm.边模抑制比(SMSR)保持在45 dB以上,最大出纤功率达200 mW。研究结果表明,倒装贴片的非制冷980 nm半导体激光器在热稳定性和光电性能方面都有较大提高,能够满足高性能小型化掺铒光纤放大器对非制冷980 nm半导体激光器的性能要求。
武斌李毅胡双双蒋群杰王海方
关键词：激光器热特性有限元
脉冲激光沉积法制备VO_2热致变色薄膜研究进展被引量：4
2009年
基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO2薄膜材料具有较大的应用潜力。本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO2薄膜材料存在的问题和发展方向。
李毅王海方俞晓静黄毅泽张虎张伟朱慧群
关键词：脉冲激光沉积VO2掺杂
磁控溅射制备W掺杂VO_2/FTO复合薄膜及其性能分析被引量：5
2013年
为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料,室温下在F:SnO2(FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜,再经空气气氛下的热氧化处理,制备了W掺杂VO2/FTO复合薄膜,利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了分析.结果表明:高温热氧化处理过程中没有生成W,F,V混合氧化物,W以替换V原子的方式掺杂.与采用相同工艺和条件制备的纯VO2/FTO复合薄膜相比,W掺杂VO2薄膜没有改变晶面取向,仍具有(110)晶面择优取向,相变温度下降到35 C左右,热滞回线收窄到4 C,高低温下的近红外光透过率变化量提高到28%.薄膜的结晶程度明显提高,表面变得平滑致密,具有很好的一致性,对光电薄膜器件的设计开发和工业化生产具有重要意义.
佟国香李毅王锋黄毅泽方宝英王晓华朱慧群梁倩严梦覃源丁杰陈少娟陈建坤郑鸿柱袁文瑞
关键词：VO2磁控溅射
钨钒共溅掺杂二氧化钒薄膜的制备及其光学特性被引量：11
2013年
为了解决VO2薄膜掺杂后相变温度高,相变前后红外透射率差值减小等问题,利用磁控共溅射的方法,在普通玻璃基底上溅射沉积钨钒薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火,制备了性能良好的掺钨VO2薄膜。分析对比了不同混合气氛中氧化生成的钨掺杂VO2薄膜的组分和结构,发现VO2有明显的(011)和(200)生长取向,并且随着混合气氛中氧含量的增加,薄膜颗粒大小从50nm增大到80nm。钨掺杂VO2薄膜的相变温度下降到31℃,相变前后红外透射率差值为41%。结果表明通过高效的钨掺杂可以降低VO2薄膜的相变温度,改善红外区域的透射光谱特性,减小钨掺杂带来的透射率损失。
覃源李毅方宝英佟国香王晓华丁杰王峰严梦梁倩陈少娟陈建坤郑鸿柱袁文瑞
关键词：热致变色常压
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