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国家自然科学基金(50131030)

作品数:30 被引量:113H指数:5
相关作者:吴建生董显平姜传海单爱党杨海波更多>>
相关机构:上海交通大学昆明理工大学中国石油天然气集团公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金“上海-应用材料研究与发展”基金上海-AM基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺电气工程理学更多>>

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 17篇一般工业技术
  • 13篇金属学及工艺
  • 4篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 3篇航空宇航科学...
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇晶化
  • 5篇电阻
  • 5篇电阻薄膜
  • 4篇电学稳定性
  • 4篇微观结构
  • 4篇NB
  • 4篇CR
  • 4篇MO
  • 3篇单晶
  • 3篇亚稳相
  • 3篇射线衍射
  • 3篇金属
  • 3篇金属间化合物
  • 3篇硅化物
  • 3篇合金
  • 3篇SI
  • 3篇X射线衍射
  • 2篇电性能
  • 2篇电子结构
  • 2篇电阻率

机构

  • 29篇上海交通大学
  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇中国石油天然...

作者

  • 28篇吴建生
  • 9篇董显平
  • 7篇单爱党
  • 7篇姜传海
  • 6篇杨海波
  • 5篇张澜庭
  • 4篇叶长青
  • 4篇周健威
  • 4篇李伟
  • 3篇潘志军
  • 3篇李成川
  • 3篇毛立忠
  • 3篇张玉勤
  • 3篇程凡雄
  • 3篇任维丽
  • 3篇李伟
  • 2篇汪涛
  • 2篇欧阳斯可
  • 2篇戴永兵
  • 2篇林泽伟

传媒

  • 7篇中国有色金属...
  • 5篇上海交通大学...
  • 4篇理化检验(物...
  • 3篇机械工程材料
  • 2篇航空学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇真空
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇材料工程
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  • 1篇第十二届中国...

年份

  • 1篇2007
  • 6篇2006
  • 6篇2005
  • 12篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
B掺杂CoSi的微观组织和单晶热电性能被引量:2
2004年
研究了掺杂B后CoSi化合物的微观组织及单晶的热电性能。结果表明 :B在CoSi中的最大固溶度为0 .4 % (摩尔分数 ) ,CoSi化合物的晶格常数随着B含量的增加线性减小 ,当B含量达到其最大固溶度时晶格常数不再变化 ;电弧熔炼制备的CoSi1-xBx 材料具有很多空洞和裂纹 ,单晶试样大大减少了组织上的缺陷 ;掺杂B后CoSi0 .995B0 .0 0 5单晶仍为N型传导 ,Seebeck系数的绝对值增加 ,电阻率下降 ,热导率升高 ;掺杂B后热电优值(ZT)
周扬李成川任维丽张澜庭吴建生
关键词:固溶晶格常数热电性能
热电材料CoSi化合物的机械合金化合成被引量:2
2006年
采用高能行星球磨的方法研究了等计量比CoSi的纯元素混合粉末的机械合金化过程.对球磨不同时间粉末的结果分析和观察表明:球磨产物为单相CoSi化合物,其晶粒尺寸随球磨的时间延长而减小,没有发生非晶化,并对此进行了热力学分析.
李成川任维丽潘志军张澜庭吴建生
关键词:热电材料机械合金化纳米晶热动力学
从头计算方法比较TiSi_2的C54相和C49相
2004年
采用平面波超软赝势描述多电子体系,利用密度泛函理论和广义梯度近似,计算出C54相和C49相TiSi2的晶格常数、体弹性模量、形成能、电子态密度(DOS)和Mulliken电荷布居等性质.通过比较这两种物质的性质,发现尽管两者形成能很相近,但C49相结构对称性差、体弹性模量小、熔点低,Ti原子d轨道的反键强、离子性弱.这些性质上的差异和C49相TiSi2在固相反应中优先形成有关.
汪涛戴永兵欧阳斯可沈荷生王庆康吴建生
关键词:TISI2
铌及铌合金的氧化行为被引量:11
2003年
铌及铌硅化合物具有优良的力学性能,可替代现有的镍基合金超高温材料。通常,这类材料的高温抗氧化性能较差,铌在高于350℃时即发生剧烈氧化,而抗氧化性能较好的NbSi2在1000K附近也会出现"pest"现象。铌硅化物的氧化行为与钼(或钨)硅化物存在很大区别,其氧化产物无挥发性。通过增加硅的含量,或添加钛、铝、铬等元素,涂敷高温抗氧化涂层等,可有效提高铌及铌硅化合物的高温抗氧化能力。
姜传海周健威叶长青吴建生
关键词:铌合金高温抗氧化性能
测定薄膜厚度的基片X射线衍射法被引量:10
2004年
基于 X射线衍射与吸收理论 ,建立了一种薄膜厚度测量方法 ,即基片多级衍射法 .利用 X射线衍射仪测量高速钢表面的 Ti N薄膜厚度 ,由于膜下基片的衍射强度较高及衍射峰形良好 ,可以确保薄膜厚度的测量精度 .
姜传海程凡雄吴建生
关键词:X射线衍射薄膜厚度
制备参数对磁控溅射CoSi_2薄膜织构的影响
2005年
采用射频磁控溅射法溅射CoSi2合金靶材制备CoSi2薄膜,研究了制备参数对薄膜织构的影响。结果表明,CoSi2薄膜中存在(111)或(220)织构。织构的形成受溅射参数的影响。溅射功率越大,溅射气压越低,(111)织构越强烈。当基底温度增加时,织构经历了先增强后减弱的过程。
常继姜传海程凡雄吴建生
关键词:织构X射线衍射磁控溅射
铌硅化合物氧化行为的X射线衍射分析被引量:5
2004年
利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3 66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构。结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢。在氧分压较低情况下,NbSi2氧化后同时生成Nb2O5及NbO氧化物。
周健威姜传海叶长青吴建生
关键词:X射线衍射氧化铌高温材料熔点
微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜
2004年
采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与 (1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成 Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性 .通过 X射线衍射图谱发现 ,当退火时间相同时 ,在 6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构 ,75 0℃时 (1 0 0 )取向的 Co Si2 生长显著 .此外 ,在微波作用下 ,无需先形成富 Co的 Co2 Si和 Co Si,就能直接得到稳态的 Co Si2 ,不同于常规的热处理 .分析认为这是因为微波可以促进固相反应中 Co原子的扩散 ,有利于 Co Si2
欧阳斯可汪涛戴永兵吴建生何贤昶沈荷生
关键词:金属硅化物固相反应微波等离子体
Al置换Si对CoSi电子结构及传输性能的影响被引量:1
2006年
采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法计算CoSi的电子结构及Si侧Al置换掺杂的CoSi0.875Al0.125的电子结构并分析两者的电子结构特征。结果表明:CoSi为典型的半金属化合物,在费米面处价带和导带存在部分重叠且在费米面处电子能态密度值比较低,因此其导电性能相对金属的导电性能稍微差一些;在理论计算的基础上,选择制备CoSi和CoSi0.88Al0.12两种单晶并测试了两种单晶在300-1000K之间的塞贝克系数、电阻率及300~480K之间的热导率。随着温度的升高,CoSi的塞贝克系数变化不大,而CoSi0.88-Al0.12的塞贝克系数呈降低的趋势,且存在一由正向负的转变温度,随着温度的升高,CoSi和CoSi0.88Al0.12的电阻率都增大,CoSi的热导率逐渐下降,而CoSi0.88Al0.12的热导率先下降然后上升。
李成川潘志军张澜庭任维丽吴建生
关键词:热电材料电子结构AL掺杂传输性能
NbSi_2在1023K氧化动力学和氧化行为的高温原位观察被引量:3
2006年
利用高温金相显微镜对NbSi2单晶和多晶在1023K的氧化行为进行氧化原位观察,研究了微裂纹、疏松和晶界对NbSi2氧化行为的影响.结果表明,电弧熔炼的多晶试样在1023K氧化一段时间后,试样表面有裂纹萌生和扩展的迹象,随后样品沿裂纹处断开,而晶界和疏松处虽然也是氧化的优先部位,却不会引起试样的开裂,证明了试样中已存在的微裂纹是引起铸态NbSi2氧化粉化现象的根本原因.NbSi2单晶、放电等离子烧结(SPS)多晶和电弧熔炼多晶样品的氧化动力学行为与原位观察结果吻合.
张芳张澜庭单爱党吴建生
关键词:原位观察高温金相硅化物单晶
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