国家自然科学基金(60776017)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：复旦大学河北科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程化学工程更多>>
- Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
- 2009年
- 采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现,TaC l5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应.另外,从能量上看,H2O的"半反应"不容易向生成产物的方向进行.
- 任杰周广芬郭子成张卫
- 关键词：原子层沉积氧化钽
- NiO_x阻变存储器性能增强方法及相关机理研究被引量：4
- 2010年
- 通过精确控制在Pt衬底上制备NiOx薄膜的工艺过程,制备出阻值窗口增大5倍以上,高低阻态稳定的TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器.研究发现,NiOx薄膜的多晶态结晶结构和化学组分,尤其是Ni元素的化学态,是影响NiOx阻变存储器阻值窗口和稳定性的主要因素.X射线光电子能谱和X射线多晶体衍射测试结果表明,当NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位增多时,Ni2+会被氧化成为Ni3+以保持电中性,Ni3+离子在材料中引入空穴导致P型氧化物NiO的漏电流增大.基于此机理,提出通过提高淀积温度、降低氧气分压的方法抑制NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位的产生,降低TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器关态漏电流,增大阻值窗口.这种基于工艺的性能增强方法,在NiOx阻变存储器实际应用中有良好前景.
- 顾晶晶陈琳徐岩孙清清丁士进张卫
- 关键词：氧化镍稳定性
- Band Structures of Metal-Oxide Capped Graphene： A First Principles Study被引量：1
- 2010年
- 我们基于密度执行第一原则的计算调查在单个层 graphene 和金属氧化物之间的接口的功能的理论。我们的学习表明单层 graphene 变得由单个水晶 SiO2 和 Al2O3 接触半导体，与精力差距到[?] 0.9 并且[?] 1.8eV 分别地。我们发现差距从 p 契约正直的破裂发源，其程度与接口原子配置有关。我们相信我们的结果加亮一个有希望的方向让可行性在未来电子学设备作为积木使用大规模 graphene 层。[从作者抽象]
- 刘晗孙清清陈琳徐岩丁士进张卫张世理
- 关键词：带结构第一原理计算AL2O3
- N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
- 2009年
- 采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。
- 施煜刘晗董琳孙清清丁士进叶培德张卫
- 关键词：原子层淀积电容-电压特性
