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国家自然科学基金(60776062)

作品数:13 被引量:22H指数:3
相关作者:温廷敦许丽萍王志斌王伟刘云鹏更多>>
相关机构:中北大学内蒙古科技大学山西省光电信息与仪器工程技术研究中心更多>>
发文基金:国家自然科学基金山西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇压阻
  • 4篇压阻效应
  • 4篇介观压阻效应
  • 3篇隧穿
  • 3篇灵敏度
  • 3篇敏度
  • 3篇共振隧穿
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇压阻型
  • 2篇介观
  • 2篇晶体
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 1篇透射
  • 1篇缺陷模
  • 1篇轴向应变
  • 1篇耦合量子点
  • 1篇微型传感器

机构

  • 6篇中北大学

作者

  • 6篇温廷敦
  • 3篇许丽萍
  • 2篇王志斌
  • 2篇张庆伟
  • 2篇王伟
  • 1篇温银萍
  • 1篇李乾利
  • 1篇张爱华
  • 1篇丰春芳

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇物理学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇Chines...
  • 1篇太原师范学院...
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
13 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Tunneling current of the Coulomb-coupled quantum dots embedded in n-n junction
2010年
Taking account of the electron-electron (hole) and electron-hole interactions, the tunneling processes of the main quantum dot (QD) Coulomb-coupled with a second quantum dot embedded in n-n junction have been investigated. The eighteen resonance mechanisms involved in the tunneling processes of the system have been identified. It is found that the tunneling current depends sensitively on the electron occupation number in the second quantum dot. When the electron occupation number in the second dot is tiny, both the tunneling current peaks and the occupation number plateaus in the main QD are determined by the intra-resonance mechanism. The increase of the electron occupation number in the second dot makes the inter-resonance mechanism participate in the transport processes. The competition between the inter and intra resonance mechanisms persists until the electron occupation number in the second dot reaches around unity, leading to the consequence that the inter-resonance mechanisms completely dominate the tunneling processes.
阎维贤赵亚平温玉兵李秀平许丽萍宫建平
关键词:库仑耦合量子点内共振
介观压阻效应在微型传感器中的应用研究
2008年
对运用共振隧穿双势垒(DBRT)结构中的一种压阻效应原理——介观压阻效应,用GaAs/AlAs/InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件,设计了一个周边固支平膜片结构的压力传感器.通过分析、模拟、计算和试验测试得到了它的参数,并对介观压阻灵敏度和压阻灵敏度的量级作出了比较,验证了介观压阻效应原理可以提高压力传感器的灵敏度的可行性,为制造出基于介观压阻效应的新型超敏感型传感器提供了一定的理论依据.
王伟温廷敦许丽萍张庆伟
关键词:传感器共振隧穿介观压阻效应灵敏度
介观压阻型微压力传感器设计被引量:3
2009年
运用共振隧穿双势垒(DBRT)结构中的一种压阻效应原理—介观压阻效应,用GaAs/AlAs/InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件,设计了一个周边固支平膜片结构的压力传感器。并对介观压阻和普通压阻灵敏度的量级作出了比较,验证了介观压阻效应原理,可以提高压力传感器的灵敏度,为制造基于介观压阻效应的新型超敏感型传感器提供了一定的理论依据。
王伟温廷敦
关键词:传感器共振隧穿介观压阻效应灵敏度
轴向应变对双势垒结构共振隧穿的影响
2010年
首先介绍了共振隧穿理论和一种新效应——介观压阻效应,对AlxGa1-xAs/GaAl/AlxGa1-xAs共振隧穿双势垒结构的轴向施加压应变作了分析,然后计算了轴向应变对垒宽和垒高的影响,对透射系数和隧穿电流用Matlab作了仿真.发现压应变可以使隧穿电流线性增加,偏压不同电流增加的速率也不同,为设计共振隧穿器件提供了理论依据.
张庆伟温廷敦
关键词:共振隧穿介观压阻效应
材料的吸收效应对光子晶体温感特性的影响被引量:1
2014年
利用传输矩阵法对含有缺陷层光子晶体缺陷模的透射率进行计算,主要讨论了材料的吸收效应对光子晶体温感特性的影响。以波长为800nm处缺陷态的透射峰作为研究对象,通过MATLAB数学软件数值模拟仿真发现:随着温度逐渐增加,缺陷模的透射率随之减小,说明光子晶体对温度变化有一定的灵敏度;介质材料的吸收效应会使透射峰随温度变化的速度减小,即光子晶体的缺陷模对温度变化的灵敏度减小;介质材料的消光系数越大,光子晶体的缺陷模对温度变化的灵敏度则越小。
张爱华温廷敦许丽萍王志斌丰春芳
关键词:光子晶体缺陷模温度传感器
单轴应力对一维镜像光子晶体光子局域态透射峰的影响被引量:10
2013年
利用传输矩阵法研究了镜像异质三周期一维光子晶体中的光子局域态随单轴应力发生变化的特性.对于镜像异质三周期光子晶体,由于其镜像结构,破坏了光子晶体的有序性,产生了一个缺陷态,使其在较宽的光子禁带中心有一个光子局域态透射峰.研究表明:当对镜像异质三周期光子晶体施加单轴应力时,其中的光子局域态透射峰会随着应力的改变而发生剧烈的变化.当外部微弱的机械应力施加到光子晶体上时,对光子晶体形成一个拉伸应变,拉伸应变引起光子晶体结构的变化,进而大幅度影响光子局域态透射峰的透射率.结果表明:透射峰的透射率明显受单轴应力的影响.这些特性可为用此结构的光子晶体设计超高灵敏度压力传感器提供理论参考.
李乾利温廷敦许丽萍王志斌
关键词:光子晶体传输矩阵
介观压阻型硅锗加速度计研究被引量:3
2009年
提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度压阻式硅锗加速度计,采用Si1-xGex/Si结构薄膜作为敏感元件,设计了一个双悬臂梁式的压阻式硅锗加速度计.通过理论分析与仿真计算,得出通过调整对该结构的外加应力可以实现对传感器灵敏度的调节,而且利用介观压阻效应原理可以将压阻式硅微加速度计的灵敏度提高一个数量级的结论.为设计新型压阻式硅微加速度计提供了一种思路.
温银萍温廷敦
关键词:介观压阻效应加速度计灵敏度
共1页<1>
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