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国家自然科学基金(11104073)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：褚君浩周远明郭少令高矿红林铁更多>>
相关机构：华东师范大学国家研究院中国科学院更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇磁阻

机构

  • 1篇华东师范大学
  • 1篇湖北工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇国家研究院

作者

  • 1篇魏来明
  • 1篇俞国林
  • 1篇刘新智
  • 1篇戴宁
  • 1篇林铁
  • 1篇高矿红
  • 1篇郭少令
  • 1篇周远明
  • 1篇褚君浩

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子
2012年
利用化学束外延法制备了高迁移率的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱样品.在样品的低温磁输运测试中,观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass(SdH)振荡和零场自旋分裂引起的拍频.本文提出一种解析的方法,即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱,得到有效g因子的大小.
魏来明周远明俞国林高矿红刘新智林铁郭少令戴宁褚君浩Austing David Guy
关键词：磁阻
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