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(La_(1-x)RE_x)_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3 (RE=Y, Sm, Eu, Tb; x=0.1～0.5)的晶体结构及磁性质研究被引量：9: 2004年; 采用空气中固相反应烧结法制备了一系列钙钛矿结构的(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Y,Sm,Eu,Tb;x=0.1～0.5)稀土锰氧化物多晶样品。X射线衍射(XRD)分析表明掺杂RE部分替代La以后,样品的晶体结构为正交结构,空间群为Pbnm。在室温(300K)和液氮温度(77K)下分别测试了样品的磁性质,发现磁性质的改变与RE的掺入量以及RE的离子半径有关。在掺Tb的样品中明显存在巨磁电阻效应,磁场为2T,温度为300和77K分别测得(La0.6Tb0.4)2/3Sr1/3MnO3和(La0.7Tb0.3)2/3Sr1/3MnO3的磁电阻(MR)为80%和85%。随着Tb掺杂量的增加,在不同的磁场下,样品电阻温度关系曲线的峰均向高温方向移动。; 刘建张炳哲张伟丁铁柱; 关键词：钐铽巨磁电阻效应

钙钛矿La_(1-x)Zn_xMnO_3薄膜结构及巨磁电阻: 2010年; 采用射频磁控溅射法分别在LaAlO3(LAO)(001)和SrTiO3(STO)(001)单晶基片上沉积了La1-xZnxMnO3(x=0.3,0.5,0.7)系列薄膜。通过X射线衍射,原子力显微镜,X射线光电子能谱和四探针法等分别研究了在基片LAO和基片STO上沉积的La1-xZnxMnO3薄膜的相结构、微形貌、表面化学态和磁电阻等性质。结果表明:薄膜在空气中900℃退火2h后,晶粒与基片之间形成了稳定的外延结构。La0.5Zn0.5MnO3和La0.7Zn0.3MnO3薄膜的晶粒生长良好。在温度为300K,磁场为1.5T的条件下,在LAO上沉积的La0.5Zn0.5MnO3薄膜和在STO上沉积的La0.7Zn0.3MnO3薄膜的巨磁电阻变化分别高达25%和28%。; 刘利民刘建金永军; 关键词：磁电阻磁控溅射法

反应溅射氧化锌薄膜的结构特点及性质被引量：1: 2006年; 以金属Zn(纯度为99.99%)作为靶材,采用离子束反应溅射法在玻璃衬底上溅射沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射(XRD)谱的分析,发现尽管溅射条件不同,但是ZnO薄膜只沿(0002)晶面取向生长。衬底温度和溅射气体的氧分压对薄膜沿c轴取向生长有影响,其中衬底温度的影响较明显。溅射过程中发现衬底温度为360℃最适合(0002)晶面的生长,在此温度下溅射获得了完全沿c轴取向生长且衍射峰最强的ZnO薄膜。室温下测量了ZnO薄膜的发射光谱,发现薄膜在紫外区(364nm附近)、蓝绿区(470nm附近)有较强的发光峰,在紫光区(398nm附近)、蓝光区(452nm附近)和红外区(722nm附近)有较弱的发光峰。ZnO薄膜在空气中退火,对薄膜的结构、发光和电学性质都有一定影响。合适的退火温度可以促进薄膜沿c轴的取向生长;退火后ZnO多晶薄膜的晶粒比未退火的略大;退火使部分发光峰的位置发生偏移并使薄膜的发光强度增强;退火使薄膜的电阻率显著增大,薄膜的电阻率随氧分压的增大而增大。; 刘建刘佳宇; 关键词：ZNO薄膜电学性质离子束溅射

La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3掺杂RE(RE=Pr、Eu、Y、Tb)的结构、红外及磁学性质被引量：7: 2007年; 采用空气中固相反应烧结法制备了一系列钙钛矿结构的(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Pr、Eu、Y、Tb;x=0、0.3或0.4)掺杂稀土锰氧化物多晶样品。X射线衍射(XRD)分析表明随着RE离子半径的减小,样品XRD的衍射峰位置普遍向高角度偏移,2θ增大0.02～0.62°。扫描电镜(SEM)观测的结果表明掺杂RE离子的半径越小,形成多晶样品的晶粒越小,未掺杂RE的La2/3Sr1/3MnO3在所有的样品中晶粒最大。红外吸收光谱测量发现样品在599～629cm-1范围出现了吸收峰并且峰的位置随掺杂RE离子半径的减小而向低频方向偏移。样品的磁性质测量表明掺杂稀土离子的半径及磁矩对材料的磁电阻有明显影响。; 刘建云国宏杨智慧吴江波张飞王耀强徐文清李晓平苏美琳杨丹; 关键词：红外吸收谱磁性质掺杂

La_(0.9)Ba_(0.1)MnO_(3-δ)薄膜的结构及物性研究被引量：3: 2009年; 通过射频磁控溅射法在Si（100）基片上沉积了La0.9Ba0.1MnO3-δ（LBMO）薄膜，并得到在不同温度下退火后的薄膜。采用X射线衍射（XRD），扫描隧道显微镜（STM），X射线光电子能谱（XPS），四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究，结果表明，薄膜在800～850℃温度范围内退火，形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系。退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同。在温度为300K，磁场为1．5T的条件下，退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高达30％。; 吕笑公刘建董苏雅拉图金永军; 关键词：退火磁电阻

退火温度对La_(0.8)Bi_(0.2)MnO_3(LBMO)薄膜结构及性质的影响: 2009年; 用射频磁控溅射方法在Si[100]衬底上沉积了La0.8Bi0.2MnO3多晶薄膜,再在不同温度下进行退火热处理.使用XRD衍射仪、原子力显微镜(AFM)分别对薄膜微结构进行了表征,结果显示薄膜随着退火温度的升高逐渐晶化,晶体结构属于钙钛矿菱形结构;薄膜的表面致密、晶粒大小均匀,850℃退火的薄膜晶粒尺寸约40 nm左右.薄膜的X射线光电子能谱(XPS)测量表明薄膜中Bi的价态为Bi3+和Bi5+.经过退火的薄膜在室温300 K、液氮77 K下都存在巨磁电阻效应.850℃退火的薄膜,温度为300 K和77 K、磁场为1.5 T条件下,磁电阻分别达到22.50%和26.98%.; 玉英刘建金永军; 关键词：巨磁电阻效应掺杂

退火温度对(La_(2/3)Ba_(1/3))(Cu_(0.15)Mn_(0.85))O_3薄膜微结构和磁性质的影响被引量：1: 2009年; 利用射频磁控溅射法结合后期退火处理,在Si(100)基片上制备了一系列的(La2/3Ba1/3)(Cu0.15Mn0.85)O3(LBCMO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描隧道显微镜(STM)、X射线光电子能谱(XPS)、标准四探针法等手段对薄膜进行了相结构、微结构特征、表面化学状态以及室温与液氮下的磁电阻随磁场变化特性等的测试,结果表明薄膜在750℃就已形成正交钙钛矿结构,900℃时晶相变得更加完整,晶体内部各部分变得更加均匀。随着退火温度的升高,晶粒迅速长大,颗粒间的氧空位逐渐消失,晶格氧含量增加,促使低场磁电阻增强明显。; 董苏雅拉图刘建吕笑公金永军玉英; 关键词：退火 XPS 磁性质

无限长平面电流的磁场分布及计算机模拟被引量：1: 2006年; 推导出了无限长平面电流磁场分布的一般公式,并利用计算机数学软件MATLAB画出了二维的等磁感应强度曲线和三维的磁感应强度分布曲面。; 刘建陈丽琴; 关键词：无限长磁场分布计算机模拟

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内蒙古自治区自然科学基金(200408020105)