国家自然科学基金(60886001)
- 作品数：5 被引量：13H指数：2
- 相关作者：罗子江周勋丁召何浩杨再荣更多>>
- 相关机构：贵州大学贵州财经大学贵州师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自然科学总论更多>>
- 自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较
- 2011年
- 本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。
- 何浩贺业全杨再荣罗子江周勋丁召
- 关键词：MBERHEEDINAS/GAASINGAAS/GAAS退火
- 不同Ⅴ/Ⅲ束流比对GaAs(001)面重构相的影响
- 2010年
- GaAs表面在不同的Ⅴ/Ⅲ束流比下会呈现不同的表面重构相。本文通过改变As4 BEP和Ga BEP的束流强度,获得不同As4 BEP和Ga BEP束流比下GaAs(001)从富Asβ2(2×4)重构相转变成富镓β2(4×2)重构相的RHEED衍射图样,然后利用球棒模型对衍射图样进行解释。
- 贺业全罗子江杨再荣何浩邓朝勇周勋丁召
- 关键词：GAAS
- 在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究被引量：9
- 2010年
- 采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
- 罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召
- 关键词：MBEEDS
- 测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率被引量：4
- 2011年
- 报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.
- 郭祥罗子江张毕禅尚林涛周勋邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDGAAS(001)衬底
- MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究被引量：1
- 2010年
- 本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因。
- 杨再荣周勋潘金福罗子江贺业全何浩丁召
- 关键词：分子束外延表面形貌
