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国家重点基础研究发展计划(20000683-1)
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电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成(英文)
2005年
采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55~1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比为25dB,插入损耗小于0dB,远场发散角为7.3°×18.0°,与单模光纤的耦合效率达3.0dB.
侯廉平
王圩
朱洪亮
周帆
王鲁峰
边静
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半导体光放大器
电吸收调制器
模斑转换器
量子阱混杂
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