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国家高技术研究发展计划(2005AA319020)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：陆敏胡晓东张国义潘尧波黎子兰更多>>
相关机构：北京大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电镜
  • 1篇射电
  • 1篇透射电镜
  • 1篇激光
  • 1篇激光剥离

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇胡成余
  • 1篇陆羽
  • 1篇陈伟华
  • 1篇章蓓
  • 1篇杨志坚
  • 1篇王琦
  • 1篇黎子兰
  • 1篇潘尧波
  • 1篇张国义
  • 1篇胡晓东
  • 1篇陆敏

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
2005年
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
关键词：透射电镜激光剥离
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