公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究被引量：6: 2013年; 由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线,讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响.制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6cm2·V-1·s-1,开关比高于107.; 李帅帅梁朝旭王雪霞李延辉宋淑梅辛艳青杨田林; 关键词：薄膜晶体管有源层

全选清除导出

共1页<1>

山东大学自主创新基金(2011ZRXT002)