国防科技技术预先研究基金(51312050405)
- 作品数：2 被引量：14H指数：2
- 相关作者：彭少龙赵文雅蒋洪川陈寅之张万里更多>>
- 相关机构：电子科技大学中国燃气涡轮研究院更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备被引量：8
- 2013年
- 采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。
- 赵文雅蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊彭少龙唐磊
- 关键词：PT热电势塞贝克系数
- 制备工艺对ITO薄膜的电阻率及沉积速率的影响被引量：6
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3:SnO2=90:10(质量比)]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明:溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧氩体积比的增大,样品的电阻率显著增大,沉积速率下降;随着溅射功率的增加,ITO薄膜的电阻率先减小后略微增大,沉积速率上升;随着溅射气压升高,ITO薄膜的电阻率先减小后增大,当溅射气压增大到较大值时,ITO薄膜的电阻率又开始减小,而沉积速率则先上升后下降。
- 赵文雅蒋洪川陈寅之张万里彭少龙
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率沉积速率
