河南省教育厅自然科学基金(2009A460004)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：苏建修康仁科宁欣杜家熙陈锡渠更多>>
- 相关机构：河南科技学院大连理工大学贵州大学更多>>
- 发文基金：河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验被引量：4
- 2010年
- 化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。
- 苏建修陈锡渠杜家熙宁欣康仁科
- 关键词：化学抛光非均匀性
- 铜化学机械抛光材料去除机理研究被引量：5
- 2010年
- 本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%。通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果。本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据。
- 苏建修高虹陈锡渠杜家熙宁欣康仁科
- 关键词：化学机械抛光硅片材料去除机理
