中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW-39910)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：杨文正龙学文周强贺锋涛程光华更多>>
- 相关机构：中国科学院西安邮电大学更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 飞秒激光多光束干涉光刻硅表面减反微结构被引量：6
- 2013年
- 为了得到均匀分布的硅表面微结构,提出了一种利用多束激光干涉光刻的方法来实现对硅表面微结构分布特征的控制.利用空间光调制器实现飞秒激光多光束干涉,形成分布均匀、周期可控的空间点阵,利用聚焦的空间点阵在单晶硅表面烧蚀得到规则分布的凹坑状结构,并通过改变附加给空间光调制器的相位实现对微结构分布特征及间距的控制.用扫描电子显微镜和分光光度计分别对结构的形貌特征和光学特性进行了测量,结果表明:采用底角为2°的四棱锥镜相位形成四光束干涉,通过10×物镜聚焦,在激光功率25mW、曝光时间30s时,可以形成间距约为3.3μm的密排凹坑微结构,所形成的凹坑结构具有良好的减反效果,在1.2～2μm近红外波段的透过率相对抛光硅平均提高了11.5%.
- 贺锋涛周强杨文正龙学文白晶程光华
- 关键词：空间光调制器多光束干涉
- 大梯度指数掺杂透射式GaAs光电阴极响应特性的理论分析被引量：3
- 2012年
- 讨论了一种具有超快时间响应特性的新光电阴极,即大梯度指数掺杂透射式GaAs负电子亲和势(NEA)光电阴极,模拟了它的量子效率、时间分辨和空间分辨能力等特性.理论分析结果表明,由于大梯度指数掺杂设计方式,在吸收层内形成较大的内建电场,因此光生电子在GaAsNEA阴极内的渡越时间大大缩短,当GaAs吸收层厚度～0.9μm时,其响应时间达到～10 ps,说明这种新NEA阴极具有远优于传统均匀掺杂NEA阴极的超快响应特性.同时在整个光谱响应范围内,量子效率达到约10%—20%,空间分辨力显著高于以往的计算结果.分析结果表明,在保证较高的量子效率条件下,这种新阴极能够突破常规GaAsNEA阴极的时间分辨率极限,提高GaAsNEA阴极本身的分辨力,有望用于超快摄影、电子加速器和自由电子激光器的电子源等领域,进一步扩展NEA光电阴极的应用范围.
- 蔡志鹏杨文正唐伟东侯洵
